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Effects of heavy ion irradiation on Cu/Al2O3/Pt CBRAM devices 期刊论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2021, 卷号: 247, 页码: 4
作者:  Su, Chaohui;  Shan, Linbo;  Yang, Dongliang;  Zhao, Yanfei;  Fu, Yujun
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Supersolid phase of cold atoms 期刊论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL D, 2020, 卷号: 74, 期号: 7, 页码: 13
作者:  Zhang, Tie-Fu;  Han, Wei;  Liao, Ren-Yuan;  Ye, Jin-Wu;  Liu, Wu-Ming
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/09/01
Supersolid phase of cold atoms 期刊论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL D, 2020, 卷号: 74, 期号: 7, 页码: 13
作者:  Zhang, Tie-Fu;  Han, Wei;  Liao, Ren-Yuan;  Ye, Jin-Wu;  Liu, Wu-Ming
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Instability analysis under part-load conditions in centrifugal pump 期刊论文
JOURNAL OF MECHANICAL SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 269-278
作者:  Ye WX;  Huang RF(黄仁芳);  Jiang ZW;  Li XJ;  Zhu ZC
收藏  |  浏览/下载：83/0  |  提交时间：2019/04/11
Vertical GaN-on-GaN PIN diodes fabricated on free-standing GaN wafer using an ammonothermal method 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 804, 页码: 435-440
作者:  S.W.H.Chen;  H.Y.Wang;  C.Hu;  Y.Chen;  H.Wang
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/08/24
Hydraulic fracturing under high temperature and pressure conditions with micro CT applications: Geothermal energy from hot dry rocks 期刊论文
FUEL, 2018, 卷号: 230, 页码: 138-154
作者:  Kumari, W. G. P.;  Ranjith, P. G.;  Perera, M. S. A.;  Li, X.;  Li, L. H.
收藏  |  浏览/下载：80/0  |  提交时间：2018/09/28
Off-state electrical breakdown of AlGaN/GaN/Ga(Al)N HEMT heterostructure grown on Si(111) 期刊论文
AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 3
作者:  Li, SM(李水明);  Zhou, Y(周宇);  Gao, HW(高宏伟);  Dai, SJ(戴淑君);  Yu, GH(于国浩)
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AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors with reduced leakage current and enhanced breakdown voltage using aluminum ion implantation 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 108, 期号: 1
作者:  Sun, SC;  Fu, K(付凯);  Yu, GH(于国浩);  Zhang, ZL;  Song, L
收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2017/03/11
Theoretical Analysis of Buffer Trapping Effects on off-State Breakdown between Gate and Drain in A1GaN/GaN HEMTs 其他
2016-01-01
Zhu, Lin; Wang, Jinyan; Jiang, Haisang; Wang, Hongyue; Wu, Wengang; Zhou, Yang; Dai, Gang
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Studies on High-Voltage GaN-on-Si MIS-HEMTs Using LPCVD Si3N4 as Gate Dielectric and Passivation Layer 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 卷号: 63, 期号: 2
作者:  Zhang, ZL(张志利);  Yu, GH(于国浩);  Zhang, XD(张晓东);  Deng, XG(邓旭光);  Li, SM(李水明)
收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2017/03/11

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