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Highly Textured Assembly of Engineered Si Nanowires for Artificial Synapses Model 期刊论文
ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS, 2021, 卷号: 3, 期号: 3, 页码: 1375-1383
作者:  Duan, Chunyang;  Zhao, Dong;  Wang, Xiang;  Ren, Bei
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2021/08/31
氧化锌气敏机制的研究及传感器信号放大的应用 学位论文
: 中国科学院大学, 2019
作者:  周新愿
收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2020/06/17
High Performance Vertical Resonant Photo-Effect-Transistor with an All-Around OLED-Gate for Ultra-Electromagnetic Stability 期刊论文
ACS NANO, 2019, 卷号: 13, 页码: 8425-8432
作者:  Li, Qikun;  Bi, Sheng;  Asare-Yeboah, Kyeiwaa;  Na, Jin;  Liu, Yun
收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2019/12/02
Highly enhanced performance of integrated piezo photo-transistor with dual inverted OLED gate and nanowire array channel 期刊论文
Nano Energy, 2019, 卷号: 66
作者:  Bi, Sheng;  Li, Qikun;  He, Zhengran;  Guo, Qinglei;  Asare-Yeboah, Kyeiwaa
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/02
Highly enhanced performance of integrated piezo photo-transistor with dual inverted OLED gate and nanowire array channel 期刊论文
Nano Energy, 2019, 卷号: 66
作者:  Bi, Sheng;  Li, Qikun;  He, Zhengran;  Guo, Qinglei;  Asare-Yeboah, Kyeiwaa
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/11
Threshold Voltage Characteristics for Silicon Nanowire Field-Effect Transistor With a Double-Layer Gate Structure 期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.1, 页码: 771-776
作者:  Hongguan Yang
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/13
Threshold Voltage Characteristics for Silicon Nanowire Field-Effect Transistor With a Double-Layer Gate Structure 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 卷号: Vol.66 No.1, 页码: 771-776
作者:  Yang, HG
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/17
Single-electron transport through single and coupling dopant atoms in silicon junctionless nanowire transistor 期刊论文
Chin. Phys. B, 2019, 卷号: 28, 期号: 12, 页码: 127302
作者:  Xiao-Di Zhang ;   Wei-Hua Han ;   Wen Liu ;   Xiao-Song Zhao ;   Yang-Yan Guo ;   Chong Yang ;   Jun-Dong Chen ;   Fu-Hua Yang
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/08/05
Temperature-dependent subband mobility characteristics in n-doped silicon junctionless nanowire transistor 期刊论文
Chinese Physics B, 2019, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 066804
作者:  Ya-Mei Dou ;   Wei-Hua Han ;   Yang-Yan Guo ;   Xiao-Song Zhao ;   Xiao-Di Zhang ;   Xin-Yu Wu ;   Fu-Hua Yang
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/08/05
High-k Spacer Consideration of Ultrascaled Gate-All-Around Junctionless Transistor in Ballistic Regime 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 卷号: 65, 期号: 12, 页码: 5282-5288
作者:  Yang YM(杨育梅)
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/11/13

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