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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of La Addition on the Electrical Characteristics and Stability of Solution-Processed LaInO Thin-Film Transistors With High-k ZrO2 Gate Insulator 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 卷号: 65, 页码: 526-532 作者:  Zhao, Cheng-Yu[1];  Li, Jun[2];  Zhong, De-Yao[3];  Huang, Chuan-Xin[4];  Zhang, Jian-Hua[5] 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/04/24 ZrO2 gate insulator  lanthanum(La) indium oxide (LaInO) thin-film transistors (TFTs)  solution process  stability