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西安光学精密机械研... [46]
半导体研究所 [12]
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专利 [46]
期刊论文 [12]
会议论文 [2]
发表日期
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1.0 mu m gate-length InP-based InGaAs high electron mobility transistors by mental organic chemical vapor deposition
期刊论文
JOURNAL OF CENTRAL SOUTH UNIVERSITY, 2012, 卷号: 19, 页码: 3444-3448
作者:
Gao Cheng
;
Li Hai-ou
;
Huang Jiao-ying
;
Diao Sheng-long
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2020/01/06
metamorphic device
mental organic chemical vapor deposition
high electron mobility transistors
InP substrate
InGaAs
High temperature synthesis of In-doped ZnO nano-structures on InP (001) substrate by pulsed laser deposition
会议论文
9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology, Beijing, PEOPLES R CHINA, 2008-10-20
作者:
Yu, Dongqi
;
Li, Jiao
;
Hu, Lizhong
;
Hu, Hao
;
Zhang, Heqiu
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/27
수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드의 DBR 구조물 및그 제조방법과 수직 공진 표면 발광 레이
专利
专利号: KR1020070059854A, 申请日期: 2007-06-12, 公开日期: 2007-06-12
作者:
김기수
;
심은덕
;
한원석
;
김성복
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/31
InP-계 수직공진 표면발광레이저를 제조하는 방법 및 이로부터 제조된 디바이스
专利
专利号: KR1020070050501A, 申请日期: 2007-05-15, 公开日期: 2007-05-15
作者:
캐뉴,캐서린쥐
;
홀,벤자민엘
;
니시야마,노부히코
;
자,청 엔
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/31
Inas self-assembled quantum dots grown on an inp (311)b substrate by molecular beam epitaxy
期刊论文
Journal of applied physics, 2001, 卷号: 89, 期号: 7, 页码: 4186-4188
作者:
Li, YF
;
Wang, JZ
;
Ye, XL
;
Xu, B
;
Liu, FQ
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
InAs self-assembled quantum dots grown on an InP (311)B substrate by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of applied physics, 2001, 卷号: 89, 期号: 7, 页码: 4186-4188
作者:
Ye XL
;
Xu B
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浏览/下载:143/18
  |  
提交时间:2010/08/12
MATRIX
ISLANDS
INGAAS
Structural and optical characterization of inas nanostructures grown on (001) and high index inp substrates
期刊论文
Applied surface science, 2000, 卷号: 167, 期号: 3-4, 页码: 191-196
作者:
Li, YF
;
Ye, XL
;
Liu, FQ
;
Xu, B
;
Ding, D
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Self-assembled quantum dots
Molecular beam epitaxy
High index
Two-dimensional ordering of self-assembled inas quantum dots grown on (311)b inp substrate
期刊论文
Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 219, 期号: 1-2, 页码: 17-21
作者:
Li, YF
;
Liu, FQ
;
Xu, B
;
Ye, XL
;
Ding, D
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Quantum dots
Molecular beam epitaxy
High index
The effect of substrate orientation on the morphology of inas nanostructures on (001) and (11n)a/b(n=1-5) inp substrates
期刊论文
Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 203-208
作者:
Sun, ZZ
;
Wu, J
;
Chen, YH
;
Liu, FQ
;
Ding, D
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
High-index inp substrate
In(ca)as nanostructures
Mbe
The effect of substrate orientation on the morphology of InAs nanostructures on (001) and (11n)A/B(n=1-5) InP substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 203-208
作者:
Xu B
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2010/08/12
high-index InP substrate
In(Ca)As nanostructures
MBE
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
INGAAS QUANTUM DOTS
ORIENTED GAAS
OPTICAL CHARACTERIZATION
ISLANDS
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