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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 An Analytical Model for False Turn-On Evaluation of High-Voltage Enhancement-Mode GaN Transistor in Bridge-Leg Configuration 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS, 2017, 卷号: 32, 页码: 6416-6433 作者:  Xie, Ruiliang;  Wang, Hanxing;  Tang, Gaofei;  Yang, Xu;  Chen, Kevin J. 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/11/26 false turn-on  Bridge-leg configuration  high-voltage enhancement-mode Gallium Nitride (E-mode GaN) transistor  gate drive design consideration   An Analytical Model for False Turn-On Evaluation of GaN Transistor in Bridge-Leg Configuration 会议论文 作者:  Xie, Ruiliang;  Wang, Hanxing;  Tang, Gaofei;  Yang, Xu;  Chen, Kevin J. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/02 false turn-on  bridge-leg configuration  gate drive design consideration  E-mode GaN transistor