×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
北京大学 [11]
金属研究所 [8]
长春光学精密机械与物... [4]
重庆绿色智能技术研究... [3]
清华大学 [1]
物理研究所 [1]
更多...
内容类型
期刊论文 [35]
会议论文 [1]
学位论文 [1]
发表日期
2022 [2]
2021 [2]
2020 [9]
2019 [4]
2018 [2]
2017 [5]
更多...
学科主题
Materials ... [1]
材料学 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共37条,第1-10条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Direct Growth of 1D SWCNT/2D MoS2 Mixed-Dimensional Heterostructures and Their Charge Transfer Property
期刊论文
ACTA PHYSICO-CHIMICA SINICA, 2022, 卷号: 38, 期号: 5, 页码: 8
作者:
Zou, Jingyun
;
Gao, Bing
;
Zhang, Xiaopin
;
Tang, Lei
;
Feng, Simin
收藏
  |  
浏览/下载:72/0
  |  
提交时间:2022/01/27
Single-walled carbon nanotube
Molybdenum disulfide
Dimension
Heterostructure
Charge transfer
Ultrafast growth of submillimeter-scale single-crystal MoSe2 by pre-alloying CVD
期刊论文
NANOSCALE HORIZONS, 2022, 页码: 9
作者:
Xin, Xing
;
Chen, Jiamei
;
Zhang, Yanmei
;
Chen, Mao-Lin
;
Bao, Youzhe
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2022/07/01
Large-Area Monolayer MoS2Nanosheets on GaN Substrates for Light-Emitting Diodes and Valley-Spin Electronic Devices
期刊论文
ACS Applied Nano Materials, 2021, 卷号: 4, 期号: 11, 页码: 12127-12136
作者:
P. Yang
;
H. Yang
;
Z. Wu
;
F. Liao
;
X. Guo
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2022/06/13
Large-Area Monolayer MoS2 Nanosheets on GaN Substrates for Light-Emitting Diodes and Valley-Spin Electronic Devices
期刊论文
Acs Applied Nano Materials, 2021, 卷号: 4, 期号: 11, 页码: 12127-12136
作者:
P. Yang
;
H. F. Yang
;
Z. Y. Wu
;
F. Y. Liao
;
X. J. Guo
收藏
  |  
浏览/下载:0/0
  |  
提交时间:2023/06/14
Synthesis of Ultrahigh-Quality Monolayer Molybdenum Disulfide through In Situ Defect Healing with Thiol Molecules
期刊论文
SMALL, 2020, 页码: 9
作者:
Feng, Simin
;
Tan, Junyang
;
Zhao, Shilong
;
Zhang, Shuqing
;
Khan, Usman
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2021/02/02
2D materials
chemical vapor deposition
molybdenum disulfide
sulfur vacancy
thiol molecules
Synthesis of Ultrahigh-Quality Monolayer Molybdenum Disulfide through In Situ Defect Healing with Thiol Molecules
期刊论文
SMALL, 2020, 页码: 9
作者:
Feng, Simin
;
Tan, Junyang
;
Zhao, Shilong
;
Zhang, Shuqing
;
Khan, Usman
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2021/02/02
2D materials
chemical vapor deposition
molybdenum disulfide
sulfur vacancy
thiol molecules
Molten-Salt-Assisted Chemical Vapor Deposition Process for Substitutional Doping of Monolayer MoS(2)and Effectively Altering the Electronic Structure and Phononic Properties
期刊论文
ADVANCED SCIENCE, 2020, 页码: 9
作者:
Li, Wei
;
Huang, Jianqi
;
Han, Bo
;
Xie, Chunyu
;
Huang, Xiaoxiao
收藏
  |  
浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2021/02/02
2D
molten-salt-assisted chemical vapor deposition
molybdenum disulfide
substitutional doping
Vertical Chemical Vapor Deposition Growth of Highly Uniform 2D Transition Metal Dichalcogenides
期刊论文
ACS NANO, 2020, 卷号: 14, 期号: 4, 页码: 4646-4653
作者:
Tang, Lei
;
Li, Tao
;
Luo, Yuting
;
Feng, Simin
;
Cai, Zhengyang
收藏
  |  
浏览/下载:47/0
  |  
提交时间:2021/02/02
two-dimensional materials
TMDCs
gaseous sources
VCVD
uniformity
heterostructures
Growth of Large-Area Homogeneous Monolayer Transition-Metal Disulfides via a Molten Liquid Intermediate Process
期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2020, 卷号: 12, 期号: 11, 页码: 13174-13181
作者:
Liu, Hang
;
Qi, Guopeng
;
Tang, Caisheng
;
Chen, Maolin
;
Chen, Yang
收藏
  |  
浏览/下载:61/0
  |  
提交时间:2021/02/02
transition-metal dichalcogenides
chemical vapor deposition
large-area growth
molten liquid intermediate
monolayer
Growth of Large-Area Homogeneous Monolayer Transition-Metal Disulfides via a Molten Liquid Intermediate Process
期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2020, 卷号: 12, 期号: 11, 页码: 13174-13181
作者:
Liu, Hang
;
Qi, Guopeng
;
Tang, Caisheng
;
Chen, Maolin
;
Chen, Yang
收藏
  |  
浏览/下载:50/0
  |  
提交时间:2021/02/02
transition-metal dichalcogenides
chemical vapor deposition
large-area growth
molten liquid intermediate
monolayer
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace