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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Enhanced Electrical Performance and Negative Bias Illumination Stability of Solution-Processed InZnO Thin-Film Transistor by Boron Addition 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 卷号: 65, 页码: 520-525 作者:  Zhong, De-Yao[1];  Li, Jun[2];  Zhao, Cheng-Yu[3];  Huang, Chuan-Xin[4];  Zhang, Jian-Hua[5] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/24 B doping concentration  boron-doped indium-zinc-oxide (BIZO) thin-film transistors (TFTs)  negative bias illumination stress (NBIS) stability  solution process