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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Physical effect on transition from blocking to conducting state of barrier-type thyristor 期刊论文 半导体学报/Journal of Semiconductors, 2010, 卷号: 31, 期号: 12, 页码: 33-37 作者:  Li HR(李海蓉);  Li SY(李思渊) 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2016/10/21 barrier-type thyristor  negative differential resistance  physical effect  conductance modulation   A novel method for measuring carrier lifetime and capture cross-section by using the negative resistance I-V characteristics of a barrier-type thyristor 期刊论文 半导体学报/Journal of Semiconductors, 2010, 卷号: 31, 期号: 8, 页码: 65-69 作者:  Li HR(李海蓉);  Li SY(李思渊) 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2016/10/21 carrier lifetime  capture cross-section  barrier-type thyristor   Semiconductor light-emitting device 专利 专利号: JP1990143483A, 申请日期: 1990-06-01, 公开日期: 1990-06-01 作者:  KANEDA KOICHI;  USHIJIMA ICHIRO 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13