QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 BAND ALIGNMENT FOR AMBIPOLAR-DOPING OF PbxZn1-xTe ALLOYS: A FIRST-PRINCIPLE STUDY 期刊论文 Modern Physics Letters B, 2012, 卷号: Vol.26 No.7, 页码: 1150041 作者:  LI-MING TANG;  XIAO-JUAN YUAN;  JIAN-ZHE LIU;  YONG ZHANG 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/05 PbxZn1-xTe  bowing coefficient  band offset  ambipolar-doping   Band Alignment for Ambipolar-Doping of SnxZn1-x Te Alloys 期刊论文 理论物理通讯(英文版), 2012, 卷号: 第4期, 页码: 723-726 作者:  Yuan XJ(袁小娟);  Liu JZ(刘建哲);  Ning F(宁锋);  Zhang Y(张勇);  Tang LM(唐黎明) 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/05 SnxZn1-x Te  bowing coefficient  band offset  ambipolar doping   BAND ALIGNMENT FOR AMBIPOLAR-DOPING OF PbxZn1-xTe ALLOYS: A FIRST-PRINCIPLE STUDY 期刊论文 Modern Physics Letters B, 2012, 卷号: Vol.26 No.7 作者:  Yuan, XJ;  Liu, JZ;  Zhang, Y;  Tang, LM 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/05 PbxZn1-xTe  bowing  coefficient  band  offset  ambipolar-doping   Influence of the electronic states anisotropy on the band gap pressure coefficient of InxGa1-xN alloys 期刊论文 Journal of Applied Physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 11 作者:  Yang H (杨辉);  Xu K (徐科);  Shi L (石林) 收藏  |  浏览/下载：200/61  |  提交时间：2011/03/14 ab initio calculations  crystal structure  energy gap  gallium compounds  high-pressure effects  III-V semiconductors  indium compounds  valence bands  wide band gap semiconductors   Optical properties and band lineup in ganxas1-x/gaas single quantum wells 期刊论文 Journal of infrared and millimeter waves, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 25-29 作者:  Luo, XD;  Xu, ZY;  Pan, Z;  Li, LH;  Lin, YW 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Ganas  Band offset  Pl   Optical properties and band lineup in GaNxAs1-x/GaAs single quantum wells 期刊论文 journal of infrared and millimeter waves, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 25-29 Luo XD; Xu ZY; Pan Z; Li LH; Lin YW; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：102/4  |  提交时间：2010/08/12 GaNAs  band offset  PL  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ALLOYS  GANAS/GAAS  1.3-MU-M  GAASN   Optical transitions in GaNAs/GaAs single quantum well 会议论文 international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000 Luo XD; Xu ZY; Sun BQ; Pan Z; Li LH; Lin YW; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/10/29 GaNAs  photoluminescence  band offset  band bowing coefficient  localized exciton  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ALLOYS  TEMPERATURE  GAASN