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Analytical Surface Potential-Based Compact Model for Independent Dual Gate a-IGZO TFT 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 卷号: 68, 期号: 4, 页码: 2049-2055
作者:  Guo, Jingrui;  Zhao, Ying;  Yang, Guanhua;  Chuai, Xichen;  Lu, Wenhao
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Bottom-Gate Approach for All Basic Logic Gates Implementation by a Single-Type IGZO-Based MOS Transistor with Reduced Footprint 期刊论文
ADVANCED SCIENCE, 2020, 卷号: 7, 期号: 6
作者:  Qi, Shaocheng;  Cunha, Joao;  Guo, Tian-Long;  Chen, Peiqin;  Zaccaria, Remo Proietti
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/12/16
Bio-polysaccharide electrolyte gated photoelectric synergic coupled oxide neuromorphic transistor with Pavlovian activities 期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2020, 卷号: 8, 期号: 8, 页码: 2780-2789
作者:  Guo, Yan Bo;  Zhu, Li Qiang;  Long, Ting Yu;  Wan, Dong Yun;  Ren, Zheng Yu
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/12/16
Modeling and Mechanism of Enhanced Performance of In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors with Nanometer Thicknesses under Temperature Stress 期刊论文
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2020, 卷号: 124, 期号: 41, 页码: 22793-22798
作者:  Dai, Chaoqi;  Qi, Guoqiang;  Qiao, Hai;  Wang, Weiliang;  Xiao, Han
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/12/16
Ultrathin flexible InGaZnO transistor for implementing multiple functions with a very small circuit footprint 期刊论文
NANO RESEARCH, 2020, 卷号: 14, 期号: 1, 页码: 232-238
作者:  Dai, Chaoqi;  Chen, Peiqin;  Qi, Shaocheng;  Hu, Yongbin;  Song, Zhitang
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/12/16
一种基于平面光波导的可饱和吸收体及其制备方法 专利
专利号: CN110350389A, 申请日期: 2019-10-18, 公开日期: 2019-10-18
作者:  张多多;  刘小峰;  邱建荣
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Enhanced Flexible Piezoelectric Sensor by the Integration of P(VDF-TrFE)/AgNWs Film With a-IGZO TFT 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2019, 卷号: 40, 页码: 111-114
作者:  Zhang, Zhihan[1];  Chen, Longlong[2];  Yang, Xiang[3];  Li, Tongkuai[4];  Chen, Xin[5]
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Bipolar plasticity of the synapse transistors based on IGZO channel with HfOxNy/HfO2/HfOxNy sandwich gate dielectrics 期刊论文
Applied Physics Letters, 2019, 卷号: 115, 期号: 2
作者:  Yang, Wei;  Jiang, Ran
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/11
High performance active image sensor pixel design with circular structure oxide TFT 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2019, 期号: 02, 页码: 29-32
作者:  Rui Geng;  Yuxin Gong
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/12/11
High-Performance InGaZnO-Based ReRAMs 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 卷号: 66, 期号: 6, 页码: 2600-2605
作者:  Ma, Pengfei;  Liang, Guangda;  Wang, Yiming;  Li, Yunpeng;  Xin, Qian
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