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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High-Frequency Switching Properties and Low Oxide Electric Field and Energy Loss in a Reverse-Channel 4H-SiC UMOSFET 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2020, 卷号: 67, 期号: 10, 页码: 4046-4053 作者:  Zhanwei Shen;   Feng Zhang ;   Member;   IEEE;   Guoguo Yan;   Zhengxin Wen;   Wanshun Zhao;   Lei Wang;   Xingfang Liu;   Guosheng Sun;   Yiping Zeng 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2021/05/24 4H-SiC UMOSFET关键工艺研发 学位论文 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019 作者:  刘敏 收藏  |  浏览/下载：102/0  |  提交时间：2019/11/18 4H-SiC场效应晶体管的仿真设计与沟槽型MOSFET的研制 学位论文 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017 - 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2017/06/02 4H-SiC  场效应晶体管  NO退火  UMOSFET  欧姆接触  槽角圆弧化  米勒电容   4H-SiC Step Trench Gate Power Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2016, 卷号: 37, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 633-635 作者:  Wang, Ying;  Tian, Kai;  Hao, Yue;  Yu, Cheng-Hao;  Liu, Yan-Juan 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/02 Trench-gate UMOSFET  on-state specific resistance (Ron-sp)  breakdown voltage (BV)  specific gate-drain charge (Qgd-sp)   An Optimized Structure of 4H-SiC U-Shaped Trench Gate MOSFET 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015, 卷号: 62, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 2774-2778 作者:  Wang, Ying;  Tian, Kai;  Hao, Yue;  Yu, Cheng-Hao;  Liu, Yan-Juan 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/02 gate-drain charge (Q(Gd))  breakdown voltage (BV)  U-shaped trench gate MOSFET (UMOSFET)  4H-SiC  ON-state specific resistance (RON-sp)