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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 能带改性Si基应变Ge材料的制备及其发光性质 学位论文 2014, 2014 黄诗浩 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2016/01/12 能带工程  张应变锗  Si基Ge外延材料  绝缘层上硅锗/锗材料  室温光致发光  Si基SiGe/Ge/SiGe异质结构  Band engineering  Tensile strained Ge  Ge-on-Si  SGOI/GOI  Room temperature photoluminescence  Si-based SiGe/Ge/SiGe heterostructures   Si基Ge/SiGe异质结构设计、外延及发光性质研究 学位论文 2011, 2010 陈阳华 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2016/02/14 低温Ge缓冲层技术  Si基Ge外延材料  Si基Ge/SiGe异质结构  室温光致发光  low-temperature Ge buffer layer  Si-based Ge epilayer  Si-based tensile-strained Ge/SiGe heterostructures  room temperature photoluminescence   Numerical analysis of SiGe heterojunction bipolar phototransistor based on virtual substrate 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2008.07.010, 2008 Zhang, Y.; Li, C.; Chen, S. Y.; Lai, H. K.; Kang, J. Y.; 陈松岩 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/12/12 STRAINED-LAYER HETEROSTRUCTURES  BAND-GAP  LIGHT DETECTION  MU-M  GE  ALLOYS  MOBILITY  SILICON   Numerical analysis of SiGe heterojunction bipolar phototransistor based on virtual substrate 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2008.07.010, 2008 Zhang, Y; Li, C; Chen, SY; Lai, HK; Kang, JY; 李成 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2013/12/12 STRAINED-LAYER HETEROSTRUCTURES  BAND-GAP  LIGHT DETECTION  MU-M  GE  ALLOYS  MOBILITY  SILICON   Numerical analysis of SiGe heterojunction bipolar phototransistor based on virtual substrate 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2008.07.010, 2008 Zhang, Y.; Li, C.; Chen, S. Y.; Lai, H. K.; Kang, J. Y.; 康俊勇 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2013/12/12 STRAINED-LAYER HETEROSTRUCTURES  BAND-GAP  LIGHT DETECTION  MU-M  GE  ALLOYS  MOBILITY  SILICON   1.55-mu m resonant cavity enhanced photodiode based on MBE grown Ge quantum dots 会议论文 4th international conference on silicon epitaxy and heterostructures, awaji isl, japan, may 23-26, 2005 Yu, J; Kasper, E; Oehme, M 收藏  |  浏览/下载：146/20  |  提交时间：2010/03/29 SiGe