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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth and thermal properties of various In2Se3 nanostructures prepared by single step PVD technique 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2019, 卷号: Vol.773, 页码: 698-705 作者:  Botcha, V. Divakar;  Hong, Yuehua;  Huang, Zhonghui;  Li, Zhiwen;  Liu, Qiang 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/17 In2Se3  PVD  Surface  morphology  Nanostructures  Thermal  conductivity  Raman  spectroscopy   Growth and thermal properties of various In2Se3 nanostructures prepared by single step PVD technique. 期刊论文 Journal of Alloys & Compounds, 2019, 卷号: Vol.773, 页码: 698-705 作者:  Botcha, V. Divakar;  Hong, Yuehua;  Huang, Zhonghui;  Li, Zhiwen;  Liu, Qiang 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/17 SCANNING  electron  microscopy  *THERMAL  properties  *NANOSTRUCTURED  materials  *THERMAL  stability  *SOLAR  energy  conversion   Effect of stress layer on thermal properties of SnSe few layers 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: Vol.783, 页码: 226-231 作者:  Xinke Liu;  Zhiwen Li;  Long Min;  Yangfan Peng;  Xinbo Xiong 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/13 SnSe2  Thermal  properties  Stress  layer  Raman  spectroscopy   Interface trap characterization of Al2O3/GaN vertical-type MOS capacitors on GaN substrate with surface treatments 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2018, 卷号: 767, 页码: 600-605 作者:  Ren, Bing[1];  Sumiya, Masatomo[2];  Liao, Meiyong[3];  Koide, Yasuo[4];  Liu, Xinke[5] 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/04/22 GaN  Vertical-type MOS  Interface states   1.2 kV GaN Schottky barrier diodes on free-standing GaN wafer using a CMOS-compatible contact material 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2017, 卷号: 56 作者:  Liu, Xinke[1];  Liu, Qiang[2];  Li, Chao[3];  Wang, Jianfeng[4];  Yu, Wenjie[5] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/24 深圳新科特种装饰工程公司发展战略探析 学位论文 2016, 2015 王哲民 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2017/06/20 建筑装饰  深圳新科  技术创新  Building Decoration  ShenZhen Xinke  Technical Innovation   Ion-sensitive field-effect transistor with sSi/Si0.5Ge0.5/sSOI quantum-well for high voltage sensitivity 期刊论文 MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2016, 卷号: 163, 页码: 115-118 作者:  Wen, Jiao[1];  Liu, Qiang[2];  Liu, Chang[3];  Wang, Yize[4];  Zhang, Bo[5] 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/04/26 SiGe  Quantum-well  Ion-sensitive field-effect transistor  Voltage sensitivity   High performance strained Si0.5Ge0.5 quantum-well p-MOSFETs fabricated using a high-kappa/metal-gate last process 期刊论文 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2015, 卷号: 83, 页码: 210-215 作者:  Liu, Chang[1];  Wen, Jiao[2];  Yu, Wenjie[3];  Zhang, Bo[4];  Xue, Zhongying[5] 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/04/26 SiGe  Quantum-well  Gate-last  Hole mobility   Large-Scale Transparent Molybdenum Disulfide Plasmonic Photodetector Using Split Bull Eye Structure 会议论文 ADVANCED OPTICAL MATERIALS, 2018 作者:  Sourav, Adhikary;  Li, Zhiwen;  Huang, Zhonghui;  Botcha, Venkata Divakar;  Hu, Cong 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/25 detectivity  MoS2  photodetectors  plasmonic  responsivity