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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of Ni Schottky contact thickness on two-dimensional electron-gas sheet carrier concentration of strained Al0.3Ga0.7N/GaN heterostructures 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2010, 卷号: 31, 期号: 8 作者:  Jianzhi Z.;  Zhaojun L.;  Yuanjie L.;  Timothy D C.;  Lingguo M. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/26 AlGaN/GaN heterostructure  Schottky contact thicknesses  Tensile stress  Two dimensional electron gas   Influence of Ni Schottky contact thickness on two-dimensional electron-gas sheet carrier concentration of strained Al_(0.3)Ga_(0.7)N/GaN heterostructures 期刊论文 半导体学报, 2010, 期号: 08, 页码: 74-77 作者:  Zhao JZ(赵建芝);  Lin ZJ(林兆军);  Lv YJ(吕元杰);  Corrigan Timothy D;  Meng LG(孟令国) 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/26 AlGaN/GaN heterostructure  Schottky contact thicknesses  two dimensional electron gas  tensile stress   Semiconductor laser element, manufacturing method thereof, optical disk apparatus and optical transmission system 专利 专利号: US20050152419A1, 公开日期: 2005-07-14 作者:  KISHIMOTO, KATSUHIKO;  KAWANISHI, HIDENORI 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2019/12/26