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Shallow Acceptor State in Mg-Doped CuAlO2 and Its Effect on Electrical and Optical Properties: An Experimental and First-Principles Study
期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2017, 卷号: 9, 期号: 14
作者:
Liu, R. J.
;
Y. F. Li
;
B. Yao
;
Z. H. Ding
;
Y. H. Jiang
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2018/06/13
The effect of boron on the doping efficiency of nitrogen in ZnO
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2016, 卷号: 672
作者:
Chen, X. Y.
;
Z. Z. Zhang
;
B. Yao
;
Y. G. Zhang
;
Y. Gu
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2017/09/11
ZnO基半导体电致发光材料与器件的理论研究
学位论文
博士: 中国科学院大学, 2015
作者:
徐辑廉
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2015/11/30
氧化锌
p型掺杂
量子级联激光器
第一性原理计算
有限元法
Effects of magnesium on phosphorus chemical states and p-type conduction behavior of phosphorus-doped ZnO films
期刊论文
Journal of Chemical Physics, 2013, 卷号: 138, 期号: 3
作者:
Liu L.
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2014/05/14
First principles study the ferromagnetic properties and electronic structure of boron doped ZnSe
期刊论文
Solid State Communications, 2012, 卷号: 152, 期号: 16, 页码: 1551-1555
S. W. Fan
;
L. J. Ding
;
Z. L. Wang
;
K. L. Yao
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2013/02/05
Diluted magnetic semiconductor
Ferromagnetic properties
Electronic
structure
thin-films
room-temperature
magnetism
tio2
anatase
zno
origin
gan
Stability of the positively charged manganese centre in gaas heterostructures examined theoretically by the effective mass approximation calculation near the gamma critical point
期刊论文
Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 8
作者:
Wang Li-Guo
;
Shen Chao
;
Zheng Hou-Zhi
;
Zhu Hui
;
Zhao Jian-Hua
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
Charged acceptor centre
Screening effect
Exchange interaction
Formation of shallow acceptors in zno doped by lithium with the addition of nitrogen
期刊论文
Journal of physics and chemistry of solids, 2011, 卷号: 72, 期号: 6, 页码: 725-729
作者:
Gai, Yanqin
;
Tang, Gang
;
Li, Jingbo
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2019/05/12
Semiconductors
Ab initio calculations
Defects
Electronic structure
Stability of the positively charged manganese centre in GaAs heterostructures examined theoretically by the effective mass approximation calculation near the Gamma critical point
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 100301
Wang, LG
;
Shen, C
;
Zheng, HZ
;
Zhu, H
;
Zhao, JH
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/01/06
charged acceptor centre
screening effect
exchange interaction
SHALLOW ACCEPTOR STATES
GALLIUM-ARSENIDE
SEMICONDUCTORS
FIELD
Electronic properties of hydrogen- and oxygen-terminated diamond surfaces exposed to the air
期刊论文
2010, 2010
Liu Feng-Bin
;
Wang Jia-Dao
;
Chen Da-Rong
;
Yan Da-Yun
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浏览/下载:4/0
Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: art. no. 083713
作者:
Zhang XW
;
You JB
;
Yin ZG
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浏览/下载:70/1
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提交时间:2010/03/08
annealing
carrier density
carrier mobility
diffusion
electrical conductivity
electrical resistivity
hydrogen
II-VI semiconductors
impurity states
interstitials
light transmission
plasma materials processing
semiconductor thin films
sputter deposition
vacancies (crystal)
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wide band gap semiconductors
zinc compounds
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