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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Compact Analytical Threshold Voltage Model of Strained Gate-All-Around MOSFET Fabricated on Si1-xGex Virtual Substrate 期刊论文 IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, 2016, 卷号: E99C, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 302-307 作者:  Zhang, Yefei;  Li, Zunchao;  Wang, Chuang;  Liang, Feng 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/02 threshold voltage  strained silicon  compact modeling  S i(1-x)Ge(x) virtual substrate  gate-all-around MOSFET   An n-type sige/ge qc structure utilizing the deep ge quantum well for electron at the gamma point 期刊论文 Semiconductor science and technology, 2007, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 769-773 作者:  Han, Genquan;  Yu, Jinzhong 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 An n-type SiGe/Ge QC structure utilizing the deep Ge quantum well for electron at the Gamma point 期刊论文 semiconductor science and technology, 2007, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 769-773 Han GQ (Han Genquan); Yu JZ (Yu Jinzhong) 收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2010/03/29 CASCADE STRUCTURES