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会议论文 [1]
学位论文 [1]
发表日期
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2016 [1]
2014 [1]
2001 [2]
学科主题
光电子学 [1]
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Analysis of deposited layers with deuterium and impurity elements on samples from the divertor of JET with ITER-like wall
期刊论文
JOURNAL OF NUCLEAR MATERIALS, 2019, 卷号: 516, 期号: 无, 页码: 202-213
作者:
Strom, P.
;
Petersson, P.
;
Rubel, M.
;
Fortuna-Zalesna, E.
;
Widdowson, A.
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浏览/下载:63/0
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提交时间:2020/05/21
Fusion
Tokamak
Plasma-wall interactions
ToF-ERDA
NRA
SEM
Remote plasma-enhanced atomic layer deposition of metallic TiN films with low work function and high uniformity
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A, 2018
作者:
Zhu, Yafeng
;
Rong Huang(黄荣)
;
Tong Liu(刘通)
;
Zhao, Yanfei(赵弇斐)
;
Yang Shen(沈阳)
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浏览/下载:134/0
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提交时间:2019/03/27
Critical atomic-level processing technologies: Remote plasma-enhanced atomic layer deposition and atomic layer etching
期刊论文
Micro and Nanosystems, 2018, 卷号: 10, 页码: 76-83
作者:
Guangjie Yuan[1]
;
Haohao Li[2]
;
Bo Shan[3]
;
Johan Liu[4]
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/04/22
Remote plasma-enhanced atomic layer deposition of metallic TiN films with low work function and high uniformity
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A, 2018, 卷号: 36
作者:
Zhu, Yafeng[1]
;
Li, Fangsen[2]
;
Rong Huang[3]
;
Tong Liu[4]
;
Zhao, Yanfei[5]
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/04/22
远程等离子体辅助原子层沉积技术制备HfO2薄膜及HfO2/Ge界面性质研究
学位论文
2016, 2016
池晓伟
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2017/06/20
远程等离子体辅助原子层沉积
HfO2/Ge界面
N2等离子体预处理
Remote plasma Atomic Layer deposition
HfO2/Ge interface
N2 plasma pretreatment
Low-temperature remote plasma-enhanced atomic layer deposition of graphene and characterization of its atomic-level structure
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2014, 卷号: 2, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 7570-7574
作者:
Zhang, Yijun
;
Ren, Wei
;
Jiang, Zhuangde
;
Yang, Shuming
;
Jing, Weixuan
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/03
Growth and characterization of GaInNAs/GaAs by plasma-assisted molecular beam epitaxy
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Pan Z
;
Li LH
;
Zhang W
;
Wang XU
;
Lin YW
;
Wu RH
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/15
adsorption
characterization
radiation
molecular beam epitaxy
nitrides
SURFACE-EMITTING LASER
QUANTUM-WELLS
OPERATION
RANGE
Growth and characterization of GaInNAs/GaAs by plasma-assisted molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 516-520
Pan Z
;
Li LH
;
Zhang W
;
Wang XU
;
Lin YW
;
Wu RH
收藏
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浏览/下载:82/10
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提交时间:2010/08/12
adsorption
characterization
radiation
molecular beam epitaxy
nitrides
SURFACE-EMITTING LASER
QUANTUM-WELLS
OPERATION
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