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Type-I PtS2/MoS2 van der Waals heterojunctions with tunable photovoltaic effects and high photosensitivity
期刊论文
NANOSCALE, 2022
作者:
Zhang, Hui
;
Wang, Zihan
;
Chen, Jiawang
;
Tan, Chaoyang
;
Yin, Shiqi
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2022/12/22
Electrical tailoring of the photoluminescence of silicon-vacancy centers in diamond/silicon heterojunctions
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2022, 页码: 10
作者:
Guo, Xiaokun
;
Yang, Bing
;
Lu, Jiaqi
;
Li, Haining
;
Huang, Nan
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2022/07/14
Polar Rectification Effect in Electro-Fatigued SrTiO3-Based Junctions
期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2020, 卷号: 12
作者:
Xu, Xueli
;
Zhang, Hui
;
Zhong, Zhicheng
;
Zhang, Ranran
;
Yin, Lihua
收藏
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浏览/下载:100/0
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提交时间:2020/10/23
polar rectification
pre-ferroelectric state
heterojunctions
Schottky junction
SrTiO3
Polar Rectification Effect in Electro-Fatigued SrTiO3-Based Junctions
期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2020, 卷号: 12, 期号: 28, 页码: 31645-31651
作者:
Xu, Xueli
;
Zhang, Hui
;
Zhong, Zhicheng
;
Zhang, Ranran
;
Yin, Lihua
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2020/12/16
2ND-HARMONIC GENERATION
HARMONIC-GENERATION
OXIDE
Gate-Tunable and Programmable n-InGaAs/Black Phosphorus Heterojunction Diodes
期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 卷号: 11, 期号: 26, 页码: 23382-23391
作者:
Lee, Youngsu
;
Um, Doo-Seung
;
Lim, Seongdong
;
Lee, Hochan
;
Kim, Minsoo P.
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提交时间:2019/11/15
heterojunction
multifunctional devices
black phosphorus
III-V compound semiconductor
nanomembrane
Versatile Doping Control of Black Phosphorus and Functional Junction Structures
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2019, 卷号: 123, 页码: 10682-10688
作者:
Jia, Jingyuan
;
Jeon, Sumin
;
Jeon, Jaeho
;
Park, Jin-Hong
;
Lee, Sungjoo
收藏
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2019/12/02
Esters
Ionic liquids
Optoelectronic devices
Phosphorus, Degenerate doping
Doping techniques
Electrical performance
Electronic device
Field effect transistor (FETs)
Junction structure
Lateral junctions
Rectifying behaviors, Field effect transistors
Spin transport properties in Fe-doped graphene/hexagonal boron-nitride nanoribbons heterostructures
期刊论文
PHYSICS LETTERS A, 2019, 卷号: 383, 期号: 18, 页码: 2217-2222
作者:
Wang, Mei
;
Jiang, Xinxin
;
Li, Xiaoteng
;
Li, Dongmei
;
Cui, Bin
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/12/11
Graphene/h-BN heterostructures
Negative differential resistance
Spin-filtering effect
Spin-rectifying behaviors
Rectifying behavior in the gan/graded-alxga1?xn/gan double heterojunction structure
期刊论文
Journal of physics d: applied physics, 2018, 卷号: 51, 期号: 20
作者:
Wang,Caiwei
;
Jiang,Yang
;
Ma,Ziguang
;
Zuo,Peng
;
Yan,Shen
收藏
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2019/05/09
Rectification
Heterojunction
Polarization
The interface modification for GNWs/Si Schottky junction with PEI/PEIE interlayers
期刊论文
Materials Research Express, 2018, 卷号: 5, 期号: 3
作者:
Zhou,Quan
;
Liu,Xiangzhi
;
Luo,Wei
;
Shen,Jun
;
Wang,Yuefeng
收藏
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2018/04/24
Graphene Nanowalls
Schottky Junction
Interface Doping
Passivation
GIRK1-mediated inwardly rectifying potassium current suppresses the epileptiform burst activities and the potential antiepileptic effect of ML297
期刊论文
BIOMEDICINE & PHARMACOTHERAPY, 2018, 卷号: 101
作者:
Huang, Yian
;
Zhang, Yuwen
;
Kong, Shuzhen
;
Zang, Kai
;
Jiang, Shize
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/05
GIRK channel
Epileptiform burst
ML297
GIRK1 subunit
Hippocampal cultured neuron
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