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2019 [1]
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Chemical sintering reduced grain boundary defects for stable planar perovskite solar cells
期刊论文
Nano Energy, 2019, 卷号: 56, 页码: 741-750
作者:
Xi, Jun
;
Xi, Kai
;
Sadhanala, Aditya
;
Zhang, Kelvin H.L.
;
Li, Guangru
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  |  
浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/11/19
Bimolecular recombination
Chemical sintering
Device performance
Grain-boundary defects
Parasitic traps
Photovoltaic devices
Power conversion efficiencies
Urbach energy
Trapping devices of nematode-trapping fungi: formation, evolution, and genomic perspectives
期刊论文
BIOLOGICAL REVIEWS, 2017, 卷号: 92, 期号: X, 页码: 357-368
作者:
Su H
;
Zhao Y
;
Zhang KQ[*]
;
Yang JK[*]
;
Zhou J
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  |  
浏览/下载:26/0
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提交时间:2015/11/06
evolution
nematode-trapping fungi (NTF)
trap formation
trapping devices (traps)
Hole transport characteristics in phosphorescent dye-doped NPB films by admittance spectroscopy
期刊论文
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2014, 卷号: 117, 期号: 3, 页码: 1125-1130
作者:
Wang, Ying
;
Chen, Jiangshan
;
Huang, Jinying
;
Dai, Yanfeng
;
Zhang, Zhiqiang
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浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2019/04/09
Density of state determination of two types of intra-gap traps in dye-sensitized solar cells and its influence on device performance
期刊论文
physical chemistry chemical physics, 2014
Wang, Yi
;
Wu, Dapeng
;
Fu, Li-Min
;
Ai, Xi-Cheng
;
Xu, Dongsheng
;
Zhang, Jian-Ping
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2015/11/11
NANOSTRUCTURED SEMICONDUCTOR ELECTRODES
NANOCRYSTALLINE PHOTOVOLTAIC CELLS
TIO2 FILMS
PHOTOELECTROCHEMICAL CELLS
DIFFUSION-COEFFICIENT
INTENSITY DEPENDENCE
AMBIPOLAR DIFFUSION
NANOPARTICLE FILMS
CHARGE-TRANSPORT
COLLOIDAL TIO2
Linear drain current degradation of n-MOSFET under hot carrier stress with forward substrate bias
期刊论文
guti dianzixue yanjiu yu jinzhanresearch and progress of solid state electronics, 2006
Zhao, Yao
;
Xu, Mingzhen
;
Tan, Changhua
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/17
A new observation of hot-carrier induced interface traps spatial distribution in 0.135 mu m n-MOSFET by gate-diode
其他
2004-01-01
Zhao, Y
;
Xu, MZ
;
Tan, CH
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/13
DEGRADATION
CHANNEL
MODEL
GENERATION
CHARGE
A new observation of hot-carrier induced interface traps spatial distribution in 0.135m n-MOSFET by Gate-Diode method
其他
2004-01-01
Zhao, Yao
;
Xu, Mingzhen
;
Tan, Changhua
收藏
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浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2015/11/13
Hot carrier induced degradation in mesa-isolated n-channel SOI MOSFETs operating in a Bi-MOS mode
期刊论文
ieee电子器件汇刊, 2001
Huang, R
;
Wang, JY
;
Zhang, X
;
Wang, YY
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/11/10
Bi-MOS mode
hot carrier effects
MOSFET
SOI
LIFETIME PREDICTION
INJECTION
DEVICE
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