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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 管花肉苁蓉总苷提取纯化工艺及抗氧剂330合成研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012 作者:  吴成 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2016/05/10 管花肉苁蓉  稳定性  大孔树脂纯化  松果菊苷  苯乙醇苷   Influence of phosphine flow rate on si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Si growth rate  P doping  Ph3 flow rate  P segregation  Gsmbe   Influence of phosphine flow rate on Si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2021/02/02 Si growth rate  P doping  PH3 flow rate  P segregation  GSMBE   Influence of phosphine flow rate on Si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2021/02/02 Si growth rate  P doping  PH3 flow rate  P segregation  GSMBE   Influence of phosphine flow rate on Si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465 Gao F; Huang DD; Li JP; Lin YX; Kong MY; Sun DZ; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 Si growth rate  P doping  PH3 flow rate  P segregation  GSMBE  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SI1-XGEX  PHOSPHORUS  SI2H6  DISILANE  SI(100)  MBE   Liquid phase epitaxial growth of 3-5 mixed crystal semiconductor 专利 专利号: JP1983194329A, 申请日期: 1983-11-12, 公开日期: 1983-11-12 作者:  USUI AKIRA 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/18