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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Simulation of Parasitic Bipolar Transistor Effect in Nanometric SRAM 期刊论文 Tien Tzu Hsueh Pao/Acta Electronica Sinica, 2018, 卷号: 46, 页码: 2495-2503 作者:  Zhao, Wen;  Guo, Xiao-Qiang;  Chen, Wei;  Luo, Yin-Hong;  Wang, Han-Ning 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/11/26 Bipolar effects  Electric potential difference  High linear energy transfers  Incident angles  Multiple cell upset  Nanometrics  Parasitic bipolar transistors  Relative positions