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| SRAM和FRAM器件单粒子与总剂量的协同效应研究 学位论文
中国科学院大学: 中国科学院大学(中国科学院近代物理研究所), 2019
作者: 姬庆刚
  收藏 | 浏览/下载：44/0 | 提交时间：2019/11/21 |
| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201210497474.2, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-06-11
作者: 秦长亮; 王桂磊 ; 洪培真; 尹海洲; 殷华湘
收藏 | 浏览/下载：25/0 | 提交时间：2019/03/26 |
| 一种CMOS结构及其制造方法 专利
专利号: CN201410459563.7, 申请日期: 2018-09-07, 公开日期: 2016-03-16
作者: 李睿; 刘云飞; 尹海洲
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2019/03/22 |
| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201410360703.5, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2016-03-16
作者: 王桂磊; 李俊峰; 赵超
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2019/03/21 |
| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201210258854.0, 申请日期: 2018-07-27, 公开日期: 2014-02-12
作者: 陈大鹏; 闫江; 殷华湘
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201310173339.7, 申请日期: 2018-05-15, 公开日期: 2014-11-12
作者: 秦长亮; 洪培真; 尹海洲; 殷华湘; 李俊峰
收藏 | 浏览/下载：23/0 | 提交时间：2019/03/21 |
| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201210435410.X, 申请日期: 2018-02-13, 公开日期: 2014-05-14
作者: 尹海洲; 殷华湘; 秦长亮
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2019/03/14 |
| γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文
红外与激光工程, 2018, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 214-219
作者: 马腾; 苏丹丹; 周航; 郑齐文; 崔江维
收藏 | 浏览/下载：24/0 | 提交时间：2018/10/18
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| 半导体器件的制造方法 专利
专利号: US9773707, 申请日期: 2017-09-26, 公开日期: 2016-12-29
作者: 赵超; 李俊峰; 刘金彪; 王桂磊; 高建峰
收藏 | 浏览/下载：18/0 | 提交时间：2018/07/18 |
