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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Formation energies of substitutional N-As and split interstitial complexes in dilute GaAsN alloys with different growth orientations 期刊论文 Applied Physics A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2018, 卷号: 124, 期号: 2, 页码: 108(1-5) 作者:  Li J(李健);  Han XX(韩修训);  Dong C(董琛);  Fan, Changzeng;  Han XX(韩修训) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2018/06/11 First principles study of n-n split interstitial in gan nanowires 期刊论文 Physics letters a, 2010, 卷号: 374, 期号: 44, 页码: 4543-4547 作者:  Wang, Zhiguo;  Li, Jingbo 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 N-n split interstitials  Gan nanowires  First principles calculation   Defects in gallium nitride nanowires: first principles calculations 期刊论文 Journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: 6 作者:  Wang, Zhiguo;  Li, Jingbo;  Gao, Fei;  Weber, William J. 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 First principles study of N-N split interstitial in GaN nanowires 期刊论文 physics letters a, 2010, 卷号: 374, 期号: 44, 页码: 4543-4547 Wang ZG (Wang Zhiguo); Li JB (Li Jingbo) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/14 N-N split interstitials  GaN nanowires  First principles calculation  SEMICONDUCTORS  ENERGY   Defects in gallium nitride nanowires: First principles calculations 期刊论文 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 044305 Wang ZG (Wang Zhiguo); Li JB (Li Jingbo); Gao F (Gao Fei); Weber WJ (Weber William J.) 收藏  |  浏览/下载：105/1  |  提交时间：2010/10/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  GAN NANOWIRES  NATIVE DEFECTS  COMPLEXES  EPITAXY  GROWTH  ARRAYS