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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Multiple Layout-Hardening Comparison of SEU-Mitigated Filp-Flops in 22-nm UTBB FD-SOI Technology 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 卷号: 67, 期号: 1, 页码: 374-381 作者:  Cai, Chang;  Liu, Tianqi;  Zhao, Peixiong;  Fan, Xue;  Huang, Hongyang 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2022/01/19 D filp-flops (DFFs)  heavy ions  radiation hardening  single-event upsets (SEUs)  ultrathin body and buried oxide fully depleted silicon on insulator (UTBB FDSOI)   SEU tolerance improvement in 22 nm UTBB FDSOI SRAM based on a simple 8T hardened cell 期刊论文 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 100, 页码: 6 作者:  Cai, C.;  Zhao, P. X.;  Xu, L. W.;  Liu, T. Q.;  Li, D. Q. 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2022/01/19 UTBB FDSOI  Radiation hardened  8T  SRAM  Single event upset   Anomalous annealing of floating gate errors due to heavy ion irradiation 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2018, 卷号: 418, 页码: 80-86 作者:  Hou, Mingdong;  Zhao, Peixiong;  Luo, Jie;  Ji, Qinggang;  Ye, Bing 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2018/05/31 Annealing  Flash memories  Heavy ions  Multiple cell upsets  Radiation effects   Simulation of Parasitic Bipolar Transistor Effect in Nanometric SRAM 期刊论文 Tien Tzu Hsueh Pao/Acta Electronica Sinica, 2018, 卷号: 46, 页码: 2495-2503 作者:  Zhao, Wen;  Guo, Xiao-Qiang;  Chen, Wei;  Luo, Yin-Hong;  Wang, Han-Ning 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/11/26 Bipolar effects  Electric potential difference  High linear energy transfers  Incident angles  Multiple cell upset  Nanometrics  Parasitic bipolar transistors  Relative positions   Heavy Ion Radiation Effects on a 130-nm COTS NVSRAM under Different Measurement Conditions 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 5, 页码: 1119-1126 作者:  Liu, TQ;  Liu, J;  Xi, K;  Zhang, ZG 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/08/04 Azimuthal dependence of single-event and multiple-bit upsets in SRAM devices with anisotropic layout 期刊论文 NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2015, 卷号: 26, 页码: 7 作者:  Duan Jing-Lai;  En Yun-Fei;  Xi Kai;  Mo Dan;  Luo Jie 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/05/31 Azimuth  Dual interlocked cell  Multiple-bit upset  Single event upset   高能重离子径迹结构对单粒子翻转的影响 期刊论文 空间科学学报, 2000, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 333-339 韩建伟 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2014/04/30 高能重离子  径迹结构  单粒子翻转  微电子芯片