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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Simulation of temporal characteristics of ion-velocity susceptibility to single event upset effect 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2014, 卷号: 23 作者:  Liu Tian-Qi;  Gu Song;  Liu Jie;  Xi Kai;  Geng Chao 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2018/07/16 ion-velocity  single event upset  deposited energy  traversed time   Modeling and assessing the influence of linear energy transfer on multiple bit upset susceptibility 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22 作者:   收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/07/05 Mufpsa  Let  Mbu  Ion Track Structure   Monte Carlo simulation based on Geant4 of single event upset induced by heavy ions 期刊论文 SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2013, 卷号: 56, 页码: 1120-1125 作者:  Zhang ZhanGang;  Liu Jie;  Geng Chao;  Mo Dan;  Yao HuiJun 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2018/07/05 Seu Occurrence  Sensitive Volume  Critical Charge  Deposited Energy  Mufpsa   Monte Carlo evaluation of spatial multiple-bit upset sensitivity to oblique incidence 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22 作者:  Geng Chao;  Mo Dan;  Yao Hui-Jun;  Duan Jing-Lai;  Sun You-Mei 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2018/07/05 Geant4  Multiple-bit Upset (Mbu)  Critical Charge  Spacing Between Adjacent Cells