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| 太赫兹开关及太赫兹波光信号控制方法 专利 申请日期: 2021-09-07, 作者: 刘力源; 刘敏; 刘剑; 吴南健; 刘朝阳
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| 不同LET粒子对商用GaN功率器件可靠性的影响 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020 作者: 陈思远
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:44/0  |  提交时间:2020/11/19
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| SRAM和FRAM器件单粒子与总剂量的协同效应研究 学位论文 中国科学院大学: 中国科学院大学(中国科学院近代物理研究所), 2019 作者: 姬庆刚
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:44/0  |  提交时间:2019/11/21 |
| 总剂量辐射环境下微纳器件长期可靠性退化机理探究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019 作者: 赵京昊
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| SiC MOS器件中SiC材料应力对SiO2/SiC界面的影响机理 学位论文 : 中国科学院大学, 2019 作者: 王世海
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2019/09/04 |
| SiO_2基底Nb原位掺杂MoS_2纳米薄膜的制备及场效应 期刊论文 2019, 卷号: 33, 期号: 12, 页码: 1975-1982 作者: 孙钰琨; 白波; 马美玲; 王洪伦 ; 索有瑞![](/image/person.jpg)
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| 基于光电器件的动态随机存取存储单元 专利 专利号: CN208225896U, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2018-12-11 作者: 陆颢瓒; 戴瑞萍; 张焕卿; 王德波
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| 一种后栅工艺MOS器件的制备方法 专利 专利号: CN201610166118.0, 申请日期: 2018-11-30, 公开日期: 2016-07-27 作者: 高建峰 ; 白国斌 ; 殷华湘 ; 李俊峰 ; 赵超![](/image/person.jpg)
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:33/0  |  提交时间:2019/03/26 |
| SiC MOS器件近界面氧化物缺陷与阈值电压漂移抑制技术研究 项目 2018- 作者: 王德君
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2019/12/02 |