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半导体研究所 [2]
西安光学精密机械研究... [2]
清华大学 [1]
中南大学 [1]
内容类型
期刊论文 [4]
专利 [2]
发表日期
2017 [1]
2010 [1]
2008 [2]
2006 [1]
1994 [1]
学科主题
半导体物理 [1]
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Direct Observation of High Photoresponsivity in Pure Graphene Photodetectors
期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2017, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 93-
作者:
Liu, Yanping
;
Xia, Qinglin
;
He, Jun
;
Liu, Zongwen*
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/03
Graphene
Lightly p-doped substrate
Photodetector
Photoresponsivity
Magnetoresistance and current-controlled electric transport properties of Fe-C film on Si substrate
期刊论文
2010, 2010
Xue, Q.Z.
;
Zhang, X.
收藏
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浏览/下载:3/0
Electroluminescence from nano-crystalline si/sio2 structures embedded in pn junctions
期刊论文
Superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 160-165
作者:
Chen, D. Y.
;
Wang, X.
;
Wei, D. Y.
;
Wang, T.
;
Xu, J.
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
Pecvd
Electroluminescence
P-i-n structures
Electroluminescence from nano-crystalline Si/SiO2 structures embedded in pn junctions
期刊论文
superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 160-165
Chen DY
;
Wang X
;
Wei DY
;
Wang T
;
Xu J
;
Ma ZY
;
Li W
;
Chen KJ
;
Shi WH
;
Wang QM
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浏览/下载:95/0
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提交时间:2010/03/08
PECVD
Variable-wavelength semiconductor laser and gas sensor using same
专利
专利号: US20060187976A1, 申请日期: 2006-08-24, 公开日期: 2006-08-24
作者:
MORI, HIROSHI
;
KIKUGAWA, TOMOYUKI
;
TAKAHASHI, YOSHIO
;
SUZUKI, TOSHIYUKI
;
KIMURA, KIYOSHI
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/12/31
Quantum well switching device with stimulated emission capabilities
专利
专利号: US5298762, 申请日期: 1994-03-29, 公开日期: 1994-03-29
作者:
OU, SZUTSUN S.
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/12/26
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