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Thermal modeling of chemical vapor deposition on the particle surface subjected to nanosecond laser heating
期刊论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF HEAT AND MASS TRANSFER, 2013, 卷号: 61, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 675-683
作者:
Peng, Quan
;
Zhang, Yuwen
;
He, Yaling
;
Mao, Yijin
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/10
Laser chemical vapor infiltration
Thermal modeling
Numerical simulation
Integral approximate method
Heat and mass transfer
MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
收藏
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浏览/下载:119/2
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提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
Effect of antimony irradiation on InAs/Sb:GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75010
作者:
Yang T
;
Yang XG
;
Wang KF
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浏览/下载:65/2
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提交时间:2011/07/05
HIGH-DENSITY
TEMPERATURE-DEPENDENCE
SELF-FORMATION
LAYERS
WELL
MBE
Ferromagnetic nature of (Ga, Cr)As epilayers revealed by magnetic circular dichroism
期刊论文
solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 6, 页码: 456-459
Wu H
;
Gan HD
;
Zheng HZ
;
Lu J
;
Zhu H
;
Ji Y
;
Li GR
;
Zhao JH
收藏
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浏览/下载:64/5
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提交时间:2011/07/05
Magnetic semiconductors
Molecular beam epitaxy
Magneto-optical effects
TRANSPORT-PROPERTIES
SEMICONDUCTOR
(GA,CR)AS
Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18102
作者:
Li MF
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浏览/下载:106/7
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提交时间:2011/07/05
molecular beam epitaxy
anti-phase domain
GaAs/Ge interface
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
JUNCTION SOLAR-CELLS
DOMAIN-FREE GROWTH
TEMPERATURE
QUALITY
FUTURE
Photoluminescence of CdSe nanowires grown with and without metal catalyst
期刊论文
nano research, 2011, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: 343-359
作者:
Tan PH
收藏
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浏览/下载:53/5
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提交时间:2011/07/05
CdSe
nanowires
photoluminescence
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SHAPE-SELECTIVE SYNTHESIS
LIQUID-SOLID MECHANISM
OPTICAL-PROPERTIES
SILICON NANOWIRES
SI NANOWIRES
ZNSE NANOWIRES
SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS
STRUCTURAL-PROPERTIES
EPITAXIAL-GROWTH
Hole mediated magnetism in Mn-doped GaN nanowires
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74313
作者:
Li JB
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浏览/下载:62/4
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提交时间:2011/07/05
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ROOM-TEMPERATURE
QUANTUM WIRES
SEMICONDUCTORS
FERROMAGNETISM
FIELD
GAMNN
First principles study of the electronic properties of twinned SiC nanowires
期刊论文
journal of nanoparticle research, 2011, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 185-191
作者:
Li JB
收藏
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浏览/下载:100/6
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提交时间:2011/07/05
Twinned SiC nanowires
Electronic properties
Ab initio
Modeling and simulation
SILICON-CARBIDE NANOWIRES
FIELD-EMISSION PROPERTIES
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INAS NANOWIRES
GROWTH
NANOTUBES
NITRIDE
DIFFUSION
NANORODS
ENERGY
High-reflectivity AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown on sapphire substrates by MOCVD
期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: article no.55013
Wu CM
;
Zhang BP
;
Shang JZ
;
Cai LE
;
Zhang JY
;
Yu JZ
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:66/3
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提交时间:2011/07/05
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE EPITAXY
MIRRORS
GAN
WAVELENGTHS
Strained and strain-relaxed epitaxial Ge1-xSnx alloys on Si(100) substrates
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: art. no. 068103
作者:
Su SJ
收藏
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浏览/下载:93/5
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提交时间:2011/07/07
GeSn alloys
strained
strain-relaxed
molecular beam epitaxy
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