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Effect of strain relaxation on performance of InGaN/GaN green LEDs on 4-inch
期刊论文
Scientific Reports, 2019, 卷号: 9, 期号: 9
作者:
H.P.Hu
;
S.J.Zhou
;
H.Wan
;
X.T.Liu
;
N.Li
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2020/08/24
light-emitting-diodes,gan,efficiency,stress,aln,Science & Technology - Other Topics
Investigation on the performance and efficiency droop behaviors of InGaN/GaN multiple quantum well green LEDs with various GaN cap layer thicknesses
期刊论文
VACUUM, 2016, 卷号: 129
作者:
Yang, J
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Chen, P
;
Zhu, JJ
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2017/03/11
Emission efficiency enhanced by introduction of the homogeneous localization states in InGaN/GaN multiple quantum well LEDs
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 681
作者:
Yang, J
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Chen, P
;
Zhu, JJ
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2017/03/11
Improved Hole Transport by p-InxGa1-xN Layer in Multiple Quantum Wells of Visible LEDs
期刊论文
IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2013, 卷号: 25, 期号: 18, 页码: 1789-1792
作者:
Liu, JP(刘建平)
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2014/01/13
Epitaxial growth
light emitting diodes
luminescence
Different strain relief behaviors in Al0.35Ga0.65N/GaN multiple quantum wells on GaN/Sapphire templates with AlN/GaN supperlattices and low-temperature AlN interlayers
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 卷号: 111, 期号: 1
作者:
Huang, CC
;
Xu, FJ
;
Song, J
;
Xu, ZY
;
Wang, JM
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2013/03/18
Optimizing features of photorefractive devices by tailoring native defects incorporated in the GaAs/AlGaAs multiple quantum wells
期刊论文
COMMAD 2000 PROCEEDINGS, 2000, 页码: 430
Han, YJ
;
Guo, LW
;
Bao, CL
;
Huang, Q
;
Zhou, JM
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2013/09/24
GAAS
LAYERS
Evolution from point defects to arsenic clusters in low-temperature grown GaAs/AlGaAs multiple quantum wells
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 217, 期号: 4, 页码: 355-359
Zhang MH
;
Han YJ
;
Zhang YH
;
Huang Q
;
Bao CL
;
Wang WX
;
Zhou JM
;
Lu LW
收藏
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浏览/下载:68/0
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提交时间:2010/08/12
LT-GaAs
LT MQWs
defect
photoluminescence
electroabsorption
SPATIAL LIGHT MODULATORS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS
RECOMBINATION
DYNAMICS
Photoluminescence of low-temperature AlGaAs/GaAs multiple quantum wells
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1997, 卷号: 175, 页码: 1173
Feng, W
;
Chen, F
;
Huang, Q
;
Zhou, JM
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2013/09/24
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GROWN GAAS
Effect of thermal annealing on optical emission properties of low-temperature grown AlGaAs/GaAs multiple quantum wells
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 1996, 卷号: 69, 期号: 23, 页码: 3513
Feng, W
;
Chen, F
;
Wang, WX
;
Cheng, WQ
;
Yu, Y
;
Huang, Q
;
Zhou, JM
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2013/09/17
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CARRIER LIFETIME
GAAS
200-DEGREES-C
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