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| Si杂质诱导 InGaAs_AlGaAs 高功率半导体激光器量子阱混杂的研究 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 刘翠翠
  收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2020/08/05 |
| 980nm半导体激光器结构及制备方法 专利
专利号: CN105826815B, 申请日期: 2019-04-30, 公开日期: 2019-04-30
作者: 郭文涛; 谭满清
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| 一种低电压损耗半导体激光器外延结构 专利
专利号: CN105322440A, 申请日期: 2016-02-10, 公开日期: 2016-02-10
作者: 李特; 乔忠良; 郝二娟; 李再金; 芦鹏
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| 一种基于InGaAs/AlGaAs量子阱混杂的循环退火方法 专利
专利号: CN104158087A, 申请日期: 2014-11-19, 公开日期: 2014-11-19
作者: 李建军; 林盛杰; 何林杰
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| 4.3μm InGaAs/AlGaAs 量子阱中波红外探测器的制备研究 学位论文
博士: 中国科学院物理研究所, 2014
石震武
收藏 | 浏览/下载：35/0 | 提交时间：2015/04/14 |
| GaAs衬底上实现3微米附近发光的量子阱结构及其制备方法 专利
专利号: CN103368073A, 申请日期: 2013-10-23, 公开日期: 2013-10-23
作者: 王庶民; 顾溢; 张永刚; 宋禹忻; 叶虹
收藏 | 浏览/下载：21/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 852nm半导体激光器量子阱设计与外延生长 期刊论文
光学精密工程, 2013, 期号: 03, 页码: 590-597
作者: 曾玉刚 ; 秦莉; 张星
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2014/03/07
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| 一种非对称波导1060nm半导体激光器结构 专利
专利号: CN102946051A, 申请日期: 2013-02-27, 公开日期: 2013-02-27
作者: 李特; 李再金; 芦鹏; 张月; 郝二娟
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 半导体光电功能结构高分辨电子学分析和数值模型 学位论文
: 中国科学院研究生院, 2012
作者: 黄文超
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2012/09/11
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| III-V族化合物半导体微结构红外探测器研究 学位论文
: 中国科学院研究生院, 2012
作者: 金巨鹏
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2012/09/11
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