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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Stateful Reconfigurable Logic via a Single Voltage-Gated Spin Hall-Effect Driven Magnetic Tunnel Junction in a Spintronic Memory 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 页码: 4295-4301 作者:  Zhang, He;  Kang, Wang;  Wang, Lezhi;  Wang, Kang L.;  Zhao, Weisheng 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/30 In-memory logic (IML)  magnetic tunnel junction (MTJ)  spin Hall effect (SHE)  voltage-controlled magnetic anisotropy (VCMA)