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GaInSb/InAs/AlSb quantum wells with InSb- and GaAs-like interfaces investigated by temperature- and magnetic field-dependent photoluminescence 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 119
作者:  Chen, Xiren[1];  Xing, Junliang[2];  Zhu, Liangqing[3];  Zha, F.X.[4];  Niu, Zhichuan[5]
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GaInSb/InAs/AlSb quantum wells with InSb- and GaAs-like interfaces investigated by temperature- and magnetic field-dependent photoluminescence 期刊论文
journal of applied physics, 2016, 卷号: 119, 期号: 17, 页码: 175301
Xiren Chen; Junliang Xing; Liangqing Zhu; F.-X. Zha; Zhichuan Niu; Shaoling Guo; Jun Shao
收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2017/03/16
Landau level transitions in InAs/AlSb/GaSb quantum wells 期刊论文
2015, 卷号: 24
作者:  Wu, Xiao-Guang;  Pang, Mi
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Investigation of interfaces in AlSb/InAs/Ga0.71In0.29Sb quantum wells by photoluminescence 期刊论文
journal of applied physics, 2014, 卷号: 116, 期号: 12, 页码: 123107
Xing, JL; Zhang, Y; Liao, YP; Wang, J; Xiang, W; Hao, HY; Xu, YQ; Niu, ZC
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Electron mobility in modulation-doped alsb/inas quantum wells 期刊论文
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: 7
作者:  Li, Yanbo;  Zhang, Yang;  Zeng, Yiping
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12
Electron mobility in modulation-doped AlSb/InAs quantum wells 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: 7
作者:  Li, Yanbo;  Zhang, Yang;  Zeng, Yiping
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Electronic band structure of a type-ii 'w' quantum well calculated by an eight-band k center dot p model 期刊论文
Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 6
作者:  Yu Xiu;  Gu Yong-Xian;  Wang Qing;  Wei Xin;  Chen Liang-Hui
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12
Electron mobility in modulation-doped AlSb/InAs quantum wells 期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.73703
作者:  Zhang Y;  Li YB
收藏  |  浏览/下载：53/5  |  提交时间：2011/07/05
Electronic band structure of a type-II 'W' quantum well calculated by an eight-band k center dot p model 期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: article no.30507
Yu X; Gu YX; Wang Q; Wei X; Chen LH
收藏  |  浏览/下载：65/4  |  提交时间：2011/07/06
Self-consistent analysis of alsb/inas high electron mobility transistor structures 期刊论文
Journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: 7
作者:  Li, Yanbo;  Zhang, Yang;  Zeng, Yiping
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