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| 稀氮（Ga(In)AsN）材料的位移损伤效应研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 雷琪琪
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| 一种分布式布拉格反射镜激光器 专利
专利号: CN209389448U, 申请日期: 2019-09-13, 公开日期: 2019-09-13
作者: 李全杰; 刘向英
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| 一种分布式布拉格反射镜激光器 专利
专利号: CN209389448U, 申请日期: 2019-09-13, 公开日期: 2019-09-13
作者: 李全杰; 刘向英
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| SiGe/Ge/SiGe双异质结激光器及其制备方法 专利
专利号: CN109449757A, 申请日期: 2019-03-08, 公开日期: 2019-03-08
作者: 舒斌; 高玉龙; 张利锋; 胡辉勇; 王斌
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| Ge/GeSn异质结激光器及其制备方法 专利
专利号: CN109244829A, 申请日期: 2019-01-18, 公开日期: 2019-01-18
作者: 舒斌; 张利锋; 高玉龙; 胡辉勇; 王斌
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| GeSn多量子阱金属腔激光器及其制作方法 专利
专利号: CN105610047B, 申请日期: 2018-09-21, 公开日期: 2018-09-21
作者: 舒斌; 范林西; 吴继宝; 陈景明; 张鹤鸣
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| 在Ge 衬底上生长GaAs 外延薄膜的方法 专利
申请日期: 2018-08-28,
作者: 贾少鹏,何巍,陆书龙
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| 硅基单片集成激光器 专利
专利号: CN206931836U, 申请日期: 2018-01-26, 公开日期: 2018-01-26
作者: 仇超; 龚谦; 武爱民; 高腾; 盛振
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| 基于GeSn/SiGeSn材料的应变多量子阱激光器及其制作方法 专利
专利号: CN107342535A, 申请日期: 2017-11-10, 公开日期: 2017-11-10
作者: 刘艳; 高曦; 韩根全; 郝跃; 张庆芳
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| 硅基单片集成激光器及其制作方法 专利
专利号: CN106953234A, 申请日期: 2017-07-14, 公开日期: 2017-07-14
作者: 仇超; 龚谦; 武爱民; 高腾; 盛振
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