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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种1300nm～1550nm含铋化物的半导体激光器的制备方法 专利 专利号: CN103259193B, 申请日期: 2016-03-09, 公开日期: 2016-03-09 作者:  曾徐路;  董建荣;  李奎龙;  孙玉润;  于淑珍 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26 一种1300nm～1550nm含铋化物的半导体激光器的制备方法 专利 专利号: CN103259193B, 申请日期: 2016-03-09, 公开日期: 2016-03-09 作者:  曾徐路;  董建荣;  李奎龙;  孙玉润;  于淑珍 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26 HgMnTe窄禁带磁性半导体和GaInP多量子阱的磁光电性质研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2011 作者:  朱亮清 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/09/11 Hgmnte磁性半导体  Fuorier变换红外光谱  Kp微扰理论  束缚磁极化子  Gainp应变量子阱   大功率650 nm 波段AlGaInP/GaInP 应变量子阱半导体激光器的研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006 郑凯 收藏  |  浏览/下载：113/23  |  提交时间：2009/04/13 低压金属有机化合物气相外延生长的 （Al_x Ga_（1-x））_（0 .5 1）In_（0 .49）P折射率测量（英文） 期刊论文 半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 398 作者:  陈良惠;  张广泽 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/11/23