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| 一种基于氮化镓材料的双波长同时发射激光器 专利
专利号: CN107123928B, 申请日期: 2019-09-20, 公开日期: 2019-09-20
作者: 张保平; 许荣彬; 梅洋; 应磊莹; 郑志威
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| 可发白光的GaN型VCSEL芯片及其制备方法 专利
专利号: CN110265875A, 申请日期: 2019-09-20, 公开日期: 2019-09-20
作者: 苏小平; 窦志珍; 曹广亮; 刘留
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| 一种水平空气柱电流注入孔径结构的垂直腔面发射激光器 专利
专利号: CN110148885A, 申请日期: 2019-08-20, 公开日期: 2019-08-20
作者: 李林; 曾丽娜; 李再金; 赵志斌; 乔忠良
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| 氮化物半导体基板及其制造方法以及半导体器件 专利
专利号: CN110036144A, 申请日期: 2019-07-19, 公开日期: 2019-07-19
作者: 藤原康文; 朱婉新; 小泉淳; 布兰登·米切尔; 汤姆·格雷戈尔凯维奇
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| GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法 专利
专利号: CN106711764B, 申请日期: 2019-07-05, 公开日期: 2019-07-05
作者: 孙钱; 冯美鑫; 周宇; 杨辉; 池田昌夫
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| GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法 专利
专利号: CN106711764B, 申请日期: 2019-07-05, 公开日期: 2019-07-05
作者: 孙钱; 冯美鑫; 周宇; 杨辉; 池田昌夫
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| 采用2D材料磊晶去疵单晶基板及其制备方法和制作组件 专利
专利号: CN109980061A, 申请日期: 2019-07-05, 公开日期: 2019-07-05
作者: 王晓靁; 刘家桓; 宋高梅
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| 半导体晶片 专利
专利号: CN208970547U, 申请日期: 2019-06-11, 公开日期: 2019-06-11
作者: 陈辰; 宋杰; 崔周源
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| 半导体晶片 专利
专利号: CN208970547U, 申请日期: 2019-06-11, 公开日期: 2019-06-11
作者: 陈辰; 宋杰; 崔周源
收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 一种GaN基垂直腔面发射激光器及其制备方法 专利
专利号: CN109873297A, 申请日期: 2019-06-11, 公开日期: 2019-06-11
作者: 张宇; 魏斌
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