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Formation energies of substitutional N-As and split interstitial complexes in dilute GaAsN alloys with different growth orientations
期刊论文
Applied Physics A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2018, 卷号: 124, 期号: 2, 页码: 108(1-5)
作者:
Li J(李健)
;
Han XX(韩修训)
;
Dong C(董琛)
;
Fan, Changzeng
;
Han XX(韩修训)
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2018/06/11
(n11)取向GaAsN外延材料的Si掺杂行为及肖特基接触特性研究
学位论文
工程硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:
董琛
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2016/11/24
GaAsN
生长取向
外延生长
光电特性
Growth orientation
Epitaxial growth
Optoelectronic characteristics
Electrical characterization of Cu Schottky contacts to n-type GaAsN grown on (311)A/B GaAs substrates
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2016, 卷号: 657, 页码: 325-329
作者:
Dong C(董琛)
;
Han XX(韩修训)
;
Gao, Xin
;
Yoshio Ohshita
;
Masafumi Yamaguchi
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2015/12/30
GaAsN
Schottky diode
Growth orientation
I-V characteristics
C-V characteristics
Electrical properties
Impact of the substrate orientation on the N incorporation in GaAsN: Theoretical and experimental investigations
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2016, 卷号: 687, 页码: 42-46
作者:
Li J(李健)
;
Han XX(韩修训)
;
Dong C(董琛)
;
Fan ZZ(范长增)
;
Yoshio Ohshita
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2016/10/25
GaAsN
First principle calculation
N incorporation
Growth orientation
Chemical potentials
Growth orientation dependence of Si doping in GaAsN
期刊论文
Journal of Applied Physics, 2015, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 055706(1-4)
作者:
Han XX(韩修训)
;
Dong C(董琛)
;
Feng, Qiang
;
Ohshita, Yoshio
;
Yamaguchi, Masafumi
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2015/12/30
Growth orientation dependence of Si doping in GaAsN
期刊论文
Journal of Applied Physics, 2015, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 4
作者:
Han, X. X.
;
C. Dong
;
Q. Feng
;
Y. Ohshita and M. Yamaguchi
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2016/07/15
Background signal from substrates in characterizations of magnetic thin films
期刊论文
journal of magnetism and magnetic materials, 2013, 卷号: 346, 页码: 87-90
Wu XJ
;
Zhang ZZ
;
Yu Y
;
Meng J
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2014/04/15
Different growth mechanisms of bimodal in as/gaas qds
期刊论文
Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 308-311
作者:
Zhou, G. Y.
;
Chen, Y. H.
;
Zhou, X. L.
;
Xu, B.
;
Ye, X. L.
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
Comparative Study on InAs/InGaAs Dots-in-a-Well Structure Grown on GaAs(311) B and (100) Substrates
期刊论文
JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2010, 卷号: 10, 期号: 11, 页码: 7359
Wang, L
;
Li, MC
;
Xiong, M
;
Wang, WX
;
Gao, HC
;
Zhao, LC
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2013/09/17
ASSEMBLED QUANTUM DOTS
1.3 MU-M
LASERS
(311)B
Different growth mechanisms of bimodal In As/GaAs QDs
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 308-311
作者:
Ye XL
;
Zhou XL
收藏
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浏览/下载:41/3
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提交时间:2011/07/05
INAS QUANTUM DOTS
GAAS(001)
RELAXATION
TRANSITION
GAAS
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