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Influence of gaasbi matrix on optical and structural properties of inas quantum dots
期刊论文
Nanoscale research letters, 2016, 卷号: 11, 期号: 1
作者:
Wang,Peng
;
Pan,Wenwu
;
Wu,Xiaoyan
;
Liu,Juanjuan
;
Cao,Chunfang
收藏
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2019/05/09
Inas
Quantum dot
Gaasbi
Mbe
Thermal stability
Properties of lattice matched quaternary InAlGaAs on InP substrate grown by gas source MBE
期刊论文
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2012, 卷号: 31, 期号: 5, 页码: 385-+
Wang, K
;
Gu, Y
;
Fang, X
;
Zhou, L
;
Li, C
;
Li, HSBY
;
Zhang, YG
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2013/04/17
compound semiconductor
molecular beam epitaxy
InAlGaAs
X-ray diffraction
photoluminescence
Properties of lattice matched quaternary InAlGaAs on InP substrate grown by gas source MBE
期刊论文
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2012, 卷号: 31, 期号: 5, 页码: 385-+
Wang, K
;
Gu, Y
;
Fang, X
;
Zhou, L
;
Li, C
;
Li, HSBY
;
Zhang, YG(重点实验室)
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2013/05/10
Optics
Flattening of low temperature epitaxial ge1-xsnx/ge/si(100) alloys via mass transport during post-growth annealing
期刊论文
Applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 9, 页码: 4468-4471
作者:
Wang, Wei
;
Su, Shaojian
;
Zheng, Jun
;
Zhang, Guangze
;
Xue, Chunlai
收藏
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浏览/下载:122/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Germanium tin alloys
Germanium buffer
Surface morphology evolution
Mass transport
Gas source MBE grown Al0.52In0.48P photovoltaic detector
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 卷号: 323, 期号: 1, 页码: 501-503
Li, C
;
Zhang, YG
;
Gu, Y
;
Wang, K
;
Li, AZ
;
Li, H
;
Shan, XM
;
Fang, JX
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2012/04/10
ELSEVIER SCIENCE BV
Gas source MBE grown Al0.52In0.48P photovoltaic detector
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 卷号: 323, 期号: 1, 页码: 501-503
Li, C
;
Zhang, YG(重点实验室)
;
Gu, Y
;
Wang, K
;
Li, AZ
;
Li, H
;
Shan, XM
;
Fang, JX
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2013/05/10
Crystallography
Materials Science
Physics
Multidisciplinary
Applied
MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
收藏
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浏览/下载:119/2
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提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
Effect of antimony irradiation on InAs/Sb:GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75010
作者:
Yang T
;
Yang XG
;
Wang KF
收藏
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浏览/下载:65/2
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提交时间:2011/07/05
HIGH-DENSITY
TEMPERATURE-DEPENDENCE
SELF-FORMATION
LAYERS
WELL
MBE
Ferromagnetic nature of (Ga, Cr)As epilayers revealed by magnetic circular dichroism
期刊论文
solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 6, 页码: 456-459
Wu H
;
Gan HD
;
Zheng HZ
;
Lu J
;
Zhu H
;
Ji Y
;
Li GR
;
Zhao JH
收藏
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浏览/下载:64/5
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提交时间:2011/07/05
Magnetic semiconductors
Molecular beam epitaxy
Magneto-optical effects
TRANSPORT-PROPERTIES
SEMICONDUCTOR
(GA,CR)AS
Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18102
作者:
Li MF
收藏
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浏览/下载:106/7
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提交时间:2011/07/05
molecular beam epitaxy
anti-phase domain
GaAs/Ge interface
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
JUNCTION SOLAR-CELLS
DOMAIN-FREE GROWTH
TEMPERATURE
QUALITY
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