×
验证码:
换一张
忘记密码？
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [3]
物理研究所 [2]
上海微系统与信息技术... [2]
大连理工大学 [1]
内容类型
期刊论文 [7]
会议论文 [1]
发表日期
2017 [1]
2011 [1]
2009 [1]
2008 [2]
2004 [1]
2003 [2]
更多...
学科主题
半导体材料 [2]
Applied [1]
Physics [1]
Physics, M... [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共8条，第1-8条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页：
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式：
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Degradation Mechanism of Crystalline Quality and Luminescence in In0.42Ga0.58N/GaN Double Heterostructures with Porous InGaN Layer
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2017, 卷号: 121, 页码: 18095-18101
作者:
Liu, Jianxun
;
Liang, Hongwei
;
Zheng, Xiantong
;
Liu, Yang
;
Xia, Xiaochuan
收藏
|
浏览/下载：2/0
|
提交时间：2019/12/09
The influence of the 1st aln and the 2nd gan layers on properties of algan/2nd aln/2nd gan/1st aln/1st gan structure
期刊论文
Applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: 1211-1216
作者:
Bi, Yang
;
Wang, XiaoLiang
;
Yang, CuiBai
;
Xiao, HongLing
;
Wang, CuiMei
收藏
|
浏览/下载：24/0
|
提交时间：2019/05/12
External electric field effect on the hydrogenic donor impurity in zinc-blende GaN/AlGaN cylindrical quantum dot
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 105, 期号: 5, 页码: 53710-53710
Jiang, LM
;
Wang, HL
;
Wu, HT
;
Gong, Q
;
Feng, SL
收藏
|
浏览/下载：29/0
|
提交时间：2011/11/03
GAN/INGAN/GAN DOUBLE HETEROSTRUCTURES
LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS
SPONTANEOUS POLARIZATION
LOCALIZED EXCITONS
BINDING-ENERGY
STATES
WELLS
PHOTOLUMINESCENCE
PIEZOELECTRICITY
NANOSTRUCTURES
External electric field elect on hydrogenic donor impurity in zinc-blende InGaN quantum dot
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 3017-3020
Jiang, LM
;
Wang, HL
;
Wu, HT
;
Gong, Q
;
Feng, SL
收藏
|
浏览/下载：12/0
|
提交时间：2011/11/03
GAN/INGAN/GAN DOUBLE HETEROSTRUCTURES
LOCALIZED EXCITONS
PHOTOLUMINESCENCE
NANOSTRUCTURES
RECOMBINATION
ENERGY
STATES
WELLS
AlGaN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs structure with an AlN interlayer grown by MOCVD
会议论文
34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007
Tang, J
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Ran, JX
;
Wang, CM
;
Wang, XY
;
Hu, GX
;
Li, JM
收藏
|
浏览/下载：46/0
|
提交时间：2010/03/09
PERFORMANCE
HETEROSTRUCTURES
OPTIMIZATION
MOBILITY
Effect of critical thickness on structural and optical properties of InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2004, 卷号: 95, 期号: 8, 页码: 4362
Lu, W
;
Li, DB
;
Li, CR
;
Shen, F
;
Zhang, Z
收藏
|
浏览/下载：10/0
|
提交时间：2013/09/17
CRITICAL LAYER THICKNESS
GAN
HETEROSTRUCTURES
PHOTOLUMINESCENCE
RELAXATION
SUBSTRATE
DEFECTS
FILMS
Void formation and failure in InGaN/AlGaN double heterostructures
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 404
Wang, YG
;
Li, W
;
Han, PD
;
Zhang, Z
收藏
|
浏览/下载：11/0
|
提交时间：2013/09/23
LIGHT-EMITTING-DIODES
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
THREADING EDGE DISLOCATION
VAPOR-PHASE EPITAXY
N-TYPE GAN
GALLIUM NITRIDE
GROWTH STOICHIOMETRY
SCATTERING
DEFECTS
LUMINESCENCE
Void formation and failure in InGaN/AlGaN double heterostructures
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 404-412
作者:
Han PD
收藏
|
浏览/下载：206/2
|
提交时间：2010/08/12
defects
metalorganic vapor phase epitaxy
nitrides
semiconducting III-V materials
light emitting diodes
LIGHT-EMITTING-DIODES
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
THREADING EDGE DISLOCATION
VAPOR-PHASE EPITAXY
N-TYPE GAN
GALLIUM NITRIDE
GROWTH STOICHIOMETRY
SCATTERING
DEFECTS
LUMINESCENCE
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace
