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2016 [2]
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Formation energies of substitutional N-As and split interstitial complexes in dilute GaAsN alloys with different growth orientations
期刊论文
Applied Physics A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2018, 卷号: 124, 期号: 2, 页码: 108(1-5)
作者:
Li J(李健)
;
Han XX(韩修训)
;
Dong C(董琛)
;
Fan, Changzeng
;
Han XX(韩修训)
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2018/06/11
Formation energies of substitutional N-As and split interstitial complexes in dilute GaAsN alloys with different growth orientations
期刊论文
2018, 卷号: 124, 期号: 2
作者:
Li, Jian[1,2]
;
Han, Xiuxun[2]
;
Dong, Chen[2,3]
;
Fan, Changzeng[4]
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/30
Electrical characterization of Cu Schottky contacts to n-type GaAsN grown on (311)A/B GaAs substrates
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2016, 卷号: 657, 页码: 325-329
作者:
Dong C(董琛)
;
Han XX(韩修训)
;
Gao, Xin
;
Yoshio Ohshita
;
Masafumi Yamaguchi
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2015/12/30
GaAsN
Schottky diode
Growth orientation
I-V characteristics
C-V characteristics
Electrical properties
Impact of the substrate orientation on the N incorporation in GaAsN: Theoretical and experimental investigations
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2016, 卷号: 687, 页码: 42-46
作者:
Li J(李健)
;
Han XX(韩修训)
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2016/10/25
GaAsN
First principle calculation
N incorporation
Growth orientation
Chemical potentials
Growth orientation dependence of Si doping in GaAsN
期刊论文
Journal of Applied Physics, 2015, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 055706(1-4)
作者:
Han XX(韩修训)
;
Dong C(董琛)
;
Feng, Qiang
;
Ohshita, Yoshio
;
Yamaguchi, Masafumi
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2015/12/30
Growth orientation dependence of Si doping in GaAsN
期刊论文
Journal of Applied Physics, 2015, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 4
作者:
Han, X. X.
;
C. Dong
;
Q. Feng
;
Y. Ohshita and M. Yamaguchi
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2016/07/15
In-plane optical anisotropy in gaasn/gaas single-quantum well investigated by reflectance-difference spectroscopy
期刊论文
Journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 1, 页码: 5
作者:
Yu, J. L.
;
Chen, Y. H.
;
Ye, X. L.
;
Jiang, C. Y.
;
Jia, C. H.
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/05/12
In-plane optical anisotropy in GaAsN/GaAs single-quantum well investigated by reflectance-difference spectroscopy
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 1, 页码: art. no. 013516
Yu JL (Yu J. L.)
;
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Ye XL (Ye X. L.)
;
Jiang CY (Jiang C. Y.)
;
Jia CH (Jia C. H.)
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浏览/下载:293/18
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提交时间:2010/08/17
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
STRAIN RELAXATION
GROWTH TEMPERATURE
INTERFACE
ALLOYS
GAAS
HETEROSTRUCTURES
MICROSTRUCTURE
GANXAS1-X
NITROGEN
Electron spin quantum beats and room temperature g factor in GaAsN
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 95, 期号: 4
Zhao, HM
;
Lombez, L
;
Liu, BL
;
Sun, BQ
;
Xue, QK
;
Chen, DM
;
Marie, X
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2013/09/17
DEPENDENT RECOMBINATION
SEMICONDUCTOR
DYNAMICS
ALLOYS
Band-gap bowing and p-type doping of (zn, mg, be)o wide-gap semiconductor alloys: a first-principles study
期刊论文
European physical journal b, 2008, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 439-444
作者:
Shi, H. -L.
;
Duan, Y.
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
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