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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Positive Bias Temperature Instabilities in Vertical Gate-all-around poly-Si Nanowire Field-effect Transistors 会议论文 IEEE International Conference on Integrated Circuits, Technologies and Applications (IEEE ICTA), NOV 21-23, 2018 作者:  Yang, Wenjing;  Li, Yuan;  Wang, Bo;  Qian, He;  Chen, Jiezhi 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/31 GAA poly-Si Nanowire FETs  PBTI  trap charging