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Multilayer antireflection coating for triple junction solar cells
期刊论文
Chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 4
作者:
Zhan Feng
;
Wang Hai-Li
;
He Ji-Fang
;
Wang Juan
;
Huang She-Song
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提交时间:2019/05/12
Multilayer Antireflection Coating for Triple Junction Solar Cells
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: article no.47802
作者:
He JF
;
Zhan F
收藏
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浏览/下载:59/3
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提交时间:2011/07/05
Structural and optical properties of GaInP grown on germanium by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
Applied Physics Letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 12
W. He, S. L. Lu, J. R. Dong, Y. M. Zhao, X. Y. Ren, K. L. Xiong, B. Li, H. Yang, H. M. Zhu, X. Y. Chen and X. Kong
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/11/02
solar-cells
phase epitaxy
gaas/ge heterostructures
temperature-dependence
ga0.5in0.5p
photoluminescence
ga0.52in0.48p
disorder
movpe
Time-resolved photoluminescence spectra study of ordered Ga052In048P alloys
期刊论文
2002
Zeng,XR
;
Cai,ZG
;
Zheng,JS
;
Shang,HY
;
Lu,YJ
;
Gao,YL
;
吕毅军
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2013/12/12
VAPOR-PHASE EPITAXY
BAND-GAP
GA0.5IN0.5P
半導体レーザの製造方法
专利
专利号: JP3206160B2, 申请日期: 2001-07-06, 公开日期: 2001-09-04
作者:
石橋 明彦
;
木戸口 勲
;
大仲 清司
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ
专利
专利号: JP3075728B2, 申请日期: 2000-06-09, 公开日期: 2000-08-14
作者:
本多 正治
;
浜田 弘喜
;
庄野 昌幸
;
廣山 良治
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2020/01/18
半導体発光装置
专利
专利号: JP1999307880A, 申请日期: 1999-11-05, 公开日期: 1999-11-05
作者:
高橋 孝志
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ
专利
专利号: JP2913652B2, 申请日期: 1999-04-16, 公开日期: 1999-06-28
作者:
五明 明子
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザの製造方法
专利
专利号: JP2900706B2, 申请日期: 1999-03-19, 公开日期: 1999-06-02
作者:
石橋 明彦
;
保科 順一
;
木戸口 勲
;
大仲 清司
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ
专利
专利号: JP2847702B2, 申请日期: 1998-11-06, 公开日期: 1999-01-20
作者:
池田 昌夫
;
中野 一志
;
戸田 淳
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提交时间:2020/01/18
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