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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Hydrogen related defects in neutron-irradiated silicon grown in hydrogen ambient 期刊论文 Microelectronic engineering, 2003, 卷号: 66, 期号: 1-4, 页码: 333-339 作者:  Wang, QY;  Wang, JH;  Deng, HF;  Lin, LY 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Neutron irradiation  Annealing  Defects in silicon   Hydrogen related defects in neutron-irradiated silicon grown in hydrogen ambient 期刊论文 microelectronic engineering, 2003, 卷号: 66, 期号: 1-4, 页码: 333-339 Wang QY; Wang JH; Deng HF; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 neutron irradiation  annealing  defects in silicon  SPECTRA   Hydrogen related defects in neutron-irradiated silicon grown in hydrogen ambient 会议论文 iumrs/icem 2002 conference, xian, peoples r china, jun 10-14, 2002 Wang QY; Wang JH; Deng HF; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/15 neutron irradiation  annealing  defects in silicon  SPECTRA   X-ray optics 'owl' and 'trinity' 期刊论文 Japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2002, 卷号: 41, 期号: 7a, 页码: 4742-4749 作者:  Ando, M;  Hyodo, K;  Sugiyama, H;  Maksimenko, A;  Pattanasiriwisawa, W 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/04/23 X-ray dark-field imaging  Asymmetric reflection monochromator  Analyzer  Refraction contrast  X-ray bright-field imaging  Vertical wiggler  Synchrotron x-radiation  Fz grown silicon  Crystal diffraction index  Crystal thickness   X-ray optics 'Owl' and 'Trinity' 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 2002, 卷号: 41, 期号: 7A, 页码: 4742-4749 作者:  Ando, M;  Hyodo, K;  Sugiyama, H;  Maksimenko, A;  Pattanasiriwisawa, W 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2016/06/29 X-ray dark-field imaging  asymmetric reflection monochromator  analyzer  refraction contrast  X-ray bright-field imaging  vertical wiggler  synchrotron X-radiation  Fz grown silicon  crystal diffraction index  crystal thickness   Infrared study on the oxygen precipitation in floating-zone silicon grown in hydrogen ambience 期刊论文 Rare metal materials and engineering, 2001, 卷号: 30, 页码: 568-571 作者:  Li, HX;  Li, CB;  Xue, CS;  Diao, ZY;  Chen, LS 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Oxygen precipitates  Silicon  Infrared spectrum   Oxygen precipitation in floating-zone silicon grown in hydrogen ambience and its application 期刊论文 Materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2001, 卷号: 83, 期号: 1-3, 页码: 106-110 作者:  Li, HX;  Li, CB;  He, YJ;  Liu, GR;  Chen, YS 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Oxygen precipitates  Silicon  Ntd  Denuded zone   Photoluminescence properties of porous silicon based on fz(h) si wafer 期刊论文 Rare metals, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 38-+ 作者:  He, YJ;  Li, HX;  Guo, CH;  Liu, GR;  Chen, YS 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Porous silicon  Photoluminescence  Surface modification  Rapid thermal oxidation   The transition from Eu3+ to Eu2+ in SiO2(Eu) thin films prepared by ion implantation and co-sputtering 期刊论文 acta physica sinica, 2001, 卷号: 50, 期号: 3, 页码: 532-535 Liu FZ; Zhu MF; Liu T; Li BC 收藏  |  浏览/下载：165/50  |  提交时间：2010/08/12 SiO2(Eu) films  XANES  SPECTROSCOPY  SILICON  VALENCE  GLASS  ER3+   THE CONVERGENT EFFECT OF THE ANNEALING TEMPERATURES OF ELECTRON-IRRADIATED DEFECTS IN FZ SILICON GROWN IN HYDROGEN 期刊论文 solid state communications, 1985, 卷号: 53, 期号: 11, 页码: 975-978 QIN GG; HUA ZL 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/15