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	130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究学位论文中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019 作者: 席善学收藏 \| 浏览/下载：12/0 \| 提交时间：2019/07/15 总剂量效应部分耗尽浅槽隔离模型
	Compact Model for Tunnel Diode Body Contact SOI n-MOSFETs 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.1, 页码: 249-254 作者: Yongwei Chang; Jiexin Luo; Jing Chen; Lingda Xu; Zhan Chai 收藏 \| 浏览/下载：4/0 \| 提交时间：2019/12/13 MOSFET circuits Integrated circuit modeling Semiconductor device modeling Radio frequency MOSFET Analytical models Mathematical model Body contact compact model floating body effects (FBEs) impact ionization partially depleted silicon-on-insulator (PD-SOI) radio frequency (RF) tunnel diode body contact (TDBC)
	Anomalous electrical properties induced by hot-electron-injection in 130-nm partially depleted soi nmosfets fabricated on modified wafer 期刊论文 Ieee transactions on nuclear science, 2016, 卷号: 63, 期号: 5, 页码: 2731-2737 作者: Dai, Lihua; Bi, Dawei; Ning, Bingxu; Hu, Zhiyuan; Song, Lei 收藏 \| 浏览/下载：59/0 \| 提交时间：2019/05/09 Buried oxide Interface trap Silicon ion implantation Soi nmosfets Total dose radiation
	基于SOI工艺抗辐照嵌入式SRAM关键技术研究学位论文工学博士, 中国科学院自动化研究所: 中国科学院大学, 2015 作者: 刘丽收藏 \| 浏览/下载：214/0 \| 提交时间：2015/09/02 绝缘体上硅 KFZ加固单粒子翻转静态随机存储器 silcon-on-insulator(SOI) radiation hardness sigle event upset(SEU) static random access memory(SRAM)
	Low frequency noise and radiation response in the partially depleted SOI MOSFETs with ion implanted buried oxide 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 8, 页码: 1-6 作者: Liu, Y (Liu Yuan); Chen, HB (Chen Hai-Bo); Liu, YR (Liu Yu-Rong); Wang, X (Wang Xin); En, YF (En Yun-Fei) 收藏 \| 浏览/下载：25/0 \| 提交时间：2018/01/25 SilicOn On Insulator Ion implantatIon Ionizing Radiation Low Frequency Noise
	A unified charge-based model for SOI MOSFETs applicable from intrinsic to heavily doped channel 期刊论文 chinese physics b, 2012 Zhang Jian; He Jin; Zhou Xing-Ye; Zhang Li-Ning; Ma Yu-Tao; Chen Qin; Zhang Xu-Kai; Yang Zhang; Wang Rui-Fei; Han Yu; Chan Mansun 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2015/11/13 charge-based model silicon-on-insulator metal-oxide semiconductor field-effect transistors compact model double gate SURROUNDING-GATE MOSFETS COMPACT MODEL THRESHOLD VOLTAGE MOS-TRANSISTOR CORE MODEL CMOS INVERSION DESIGN DEVICE BODY
	A unified charge-based model for SOI MOSFETs applicable from intrinsic to heavily doped channel 期刊论文 Chinese Physics B, 2012 张健; 何进; 周幸叶; 张立宁; 马玉涛; 陈沁; 张勖凯; 杨张; 王睿斐; 韩雨; 陈文新收藏 \| 浏览/下载：4/0 \| 提交时间：2017/12/03 charge-based model silicon-on-insulator metal-oxide semiconductor field-effect transistors compact model double gate
	Extra source implantation for suppression floating-body effect in partially depleted SOI MOSFETs 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2012, 卷号: 272, 页码: 128-131 Chen, J; Luo, JX; Wu, QQ; Chai, Z; Huang, XL; Wei, X; Wang, X 收藏 \| 浏览/下载：17/0 \| 提交时间：2013/04/17 Partially depleted SOI Floating-body effect The kink effect Esaki tunnel Junction Body contact
	A Tunnel Diode Body Contact Structure for High-Performance SOI MOSFETs 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2012, 卷号: 59, 期号: 1, 页码: 101-107 Luo, JX; Chen, J; Wu, QQ; Chai, Z; Zhou, JH; Yu, T; Dong, YJ; Li, L; Liu, W; Qiu, C; Wang, X 收藏 \| 浏览/下载：13/0 \| 提交时间：2013/04/17 Body contact floating-body effects (FBEs) kink effect linear kink effect (LKE) partially depleted (PD) silicon-on-insulator (SOI) SOI MOSFETs tunnel diode tunnel diode body contact (TDBC)
	TDBC SOI technology to suppress floating body effect in PD SOI p-MOSFETs 期刊论文 ELECTRONICS LETTERS, 2012, 卷号: 48, 期号: 11, 页码: 652-653 Luo, JX; Chen, J; Wu, QQ; Chai, Z; Yu, T; Wang, X 收藏 \| 浏览/下载：16/0 \| 提交时间：2013/04/17

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