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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A theoretical calculation of the impact of gan cap and alxga1-xn barrier thickness fluctuations on two-dimensional electron gas in a gan/alxga1-xn/gan heterostructure 期刊论文 Ieee transactions on electron devices, 2011, 卷号: 58, 期号: 12, 页码: 4272-4275 作者:  Liu, Guipeng;  Wu, Ju;  Lu, Yanwu;  Zhang, Biao;  Li, Chengming 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Cap-thickness-fluctuation (ctf) and barrierthickness fluctuation (btf) scattering  Interface roughness scattering  Two dimensional electron gas (2deg)