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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Breakdown enhancement of diamond Schottky barrier diodes using boron implanted edge terminations 期刊论文 DIAMOND AND RELATED MATERIALS, 2019, 卷号: 92, 页码: 146-149 作者:  Yu, Xinxin;  Zhou, Jianjun;  Wang, Yanfeng;  Qiu, Feng;  Kong, Yuechan 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/11/19 Diamond  Boron implant  Schottky diode  Edge termination   The effect of the boron-ions implantation on the performance of RADFETs 期刊论文 SCIENCE CHINA-TECHNOLOGICAL SCIENCES, 2016 Liu HongRui; Wang ShuaiMin; Zhang JinWen 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/12/03 dosimeters  PMOS RADFETs  implant dose  post-annealing temperature  real time auto-measurement system  radiation effects  RADIATION SENSITIVITY  PMOS DOSIMETERS  RAY-IRRADIATION  SILICON  SPACE  FLOW   A modified scheme to tune the Schottky Barrier Height of NiSi by means of dopant segregation technique 期刊论文 Vacuum, 2013 作者:  Zhao C(赵超);  Deng J(邓坚);  Liu ZB(刘庄波);  Luo J(罗军) 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2014/10/30 Bone regeneration: importance of local pH—strontium-doped borosilicate scaffold 期刊论文 JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY, 2012 作者:  Shen, Yuhui;  Liu, Waiching;  Wen, Chunyi;  Pan, Haobo;  Wang, Ting 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2015/08/25 Simulation on Low Energy Ion Implantation into Ge and SiGe With Molecular Dynamics Method 其他 2009-01-01 Yu, Min; Li, Qiang; Yang, Jie; Qiao, Ying; Wang, Jinyan; Huang, Ru; Zhang, Xing 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2015/11/10 Implantation  simulation  Molecular Dynamics  Geminium  PHOSPHORUS IMPLANTATION