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2019 [1]
1999 [1]
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Impact of TID on latch up induced by pulsed irradiation in CMOS circuits
期刊论文
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2019, 卷号: 440, 页码: 95-100
作者:
Li, Ruibin
;
He, Chaohui
;
Chen, Wei
;
Li, Junlin
;
Wang, Chenhui
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提交时间:2019/11/19
Base recombination currents
Dose rate
Latch-ups
Oxide trapped charge
Pulsed irradiation
Shallow trench isolation
Surface recombinations
Total Ionizing Dose
The influence on electrical performance of double-polysilicon bipolar transistors by forming gas annealing
其他
1999-01-01
Sanden, M
;
Karlin, TE
;
Ma, P
;
Grahn, JV
;
Zhang, SL
;
Ostling, M
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提交时间:2015/11/11
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