|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| 蓝宝石衬底上AlGaN_GaN二维电子气结构的剥离研究 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 郭芬
  收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2021/02/03 |
| AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 期刊论文
人工晶体学报, 2020, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2046-2067
作者: 贲建伟; 孙晓娟; 蒋科; 陈洋; 石芝铭
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2021/07/06
|
| 基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜及其制备方法 专利
专利号: CN110190511A, 申请日期: 2019-08-30, 公开日期: 2019-08-30
作者: 姬小利; 谭晓宇; 魏同波; 王军喜; 杨富华
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 电泵浦深紫外AlGaN半导体激光器及其制备方法 专利
专利号: CN109888612A, 申请日期: 2019-06-14, 公开日期: 2019-06-14
作者: 黎大兵; 王勇; 孙晓娟; 贾玉萍; 石芝铭
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2019/12/30 |
| 一种硅衬底上的III族氮化物层 专利
专利号: CN109887997A, 申请日期: 2019-06-14, 公开日期: 2019-06-14
作者: 顾伟
收藏 | 浏览/下载：23/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 低V型缺陷密度的GaN基多量子阱激光器外延片及制备方法 专利
专利号: CN109873299A, 申请日期: 2019-06-11, 公开日期: 2019-06-11
作者: 杨静; 赵德刚; 朱建军; 陈平; 刘宗顺
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 半导体激光元件 专利
专利号: CN103855604B, 申请日期: 2019-06-07, 公开日期: 2019-06-07
作者: 三好隆
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| AlGaN 基紫外 LED 材料生长及结构优化研究 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者: 李方政
收藏 | 浏览/下载：33/0 | 提交时间：2019/11/12 |
| AlGaN基紫外发光器件和极化工程的研究 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者: 陆义
收藏 | 浏览/下载：20/0 | 提交时间：2019/11/12 |
