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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Construction of van der Waals substrates for largely mismatched heteroepitaxy systems using first principles 期刊论文 Science China-Physics Mechanics & Astronomy, 2019, 卷号: 62, 期号: 12, 页码: 7 作者:  Z.M.Shi;  X.J.Sun;  Y.P.Jia;  X.K.Liu;  S.L.Zhang 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/08/24 van der Waals epitaxy,2D materials,first principles,light-emitting-diodes,phase epitaxy growth,algan/gan hemts,boron-nitride,gan,graphene,layer,nanosheets,crystals,semiconductor,Physics   5.3A/400V normally-off AlGaN/GaN-on-Si MOS-HEMT with high threshold voltage and large gate swing 期刊论文 ELECTRONICS LETTERS, 2013, 卷号: 49, 期号: 3, 页码: 221-222 作者:  Cai, Y(蔡勇) 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2014/01/08 Simulation and Analysis of High Breakdown Voltage AlGaN/GaN MOSHEMTs with TiO2/Al2O3 Gate Dielectric 其他 2013-01-01 Li, X.P.; Wang, J.Y.; Cai, J.B.; Liu, Y.; Yang, Zh.; Zhang, B.; Wang, M.J.; Yu, M.; Xie, B.; Wu, W.G.; Zhang, J.Ch; Ma, X.H. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 FIELD-EFFECT TRANSISTORS   Enhanced device performance of AlGaN/GaN HEMTs using thermal oxidation of electron-beam deposited Aluminum for gate oxide 其他 2008-01-01 Chen, Hongwei; Wang, Jinyan; Xu, Chuan; Yu, Min; Fu, Yang; Dong, Zhihua; Xu, Fujun; Hao, Yilong; Wen, Cheng P. 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/11/13 AlGaN/GaN MOS-HEMTs  leakage current  thermal oxidation  electron-beam evaporation  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  AL2O3   Threshold voltage shift and interface/border trapping mechanism in AlO/AlGaN/GaN MOS-HEMTs 会议论文 2018 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Burlingame, CA, USA, 2018 作者:  Jiejie Zhu;  Bin Hou;  Lixiang Chen;  Qing Zhu;  Ling Yang 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/25