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Influence of polarization Coulomb field scattering on high-temperature electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: 120, 页码: 389-394
作者:  Liu, Yan;  Lin, Zhaojun;  Cui, Peng;  Fu, Chen;  Lv, Yuanjie
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AlGaN/GaN MOS-HFET功率开关器件制备技术研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
赵勇兵
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2016/06/01
Normally-off p-GaN/AlGaN/GaN high electron mobility transistors using hydrogen plasma treatment 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 109, 期号: 15
作者:  Hao, RH;  Fu, K(付凯);  Yu, GH(于国浩);  Li, WY;  Yuan, J
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Plasma-assisted ohmic contact for AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2016, 卷号: 31
作者:  Zhang, Jiaqi;  Wang, Lei;  Wang, Qingpeng;  Jiang, Ying;  Li, Liuan
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Reduction of leakage current by O-2 plasma treatment for device isolation of AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors 期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2015, 卷号: 351, 页码: 1155-1160
作者:  Jiang, Ying;  Wang, Qingpeng;  Zhang, Fuzhe;  Li, Liuan;  Zhou, Deqiu
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GaN场效应晶体管的器件隔离技术 会议论文
第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议, 苏州, 2015-10-30
作者:  江滢;  敖金平;  王德君
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Demonstration of Normally-Off Recess-Gated AlGaN/GaN MOSFET Using GaN Cap Layer as Recess Mask 期刊论文
ieee electron device letters, 2014
Xu, Zhe; Wang, Jinyan; Liu, Jingqian; Jin, Chunyan; Cai, Yong; Yang, Zhenchuan; Wang, Maojun; Yu, Min; Xie, Bing; Wu, Wengang; Ma, Xiaohua; Zhang, Jincheng; Hao, Yue
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/10
Influence of the channel electric field distribution on the polarization Coulomb field scattering in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文
AIP ADVANCES, 2013, 卷号: 3, 期号: 9
Yu, YX; Lin, ZJ; Luan, CB; Lv, YJ; Feng, ZH; Yang, M; Wang, YT; Chen, H
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2014/01/16
Electron mobility in the linear region of an AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistor 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22, 期号: 6
Yu, YX; Lin, ZJ; Luan, CB; Wang, YT; Chen, H; Wang, ZG
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2014/01/16
Influence of Schottky drain contacts on the strained AlGaN barrier layer of AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文
中国物理B：英文版, 2013, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 394-398
作者:  曹芝芳[1];  林兆军[1];  吕元杰[1];  栾崇彪[1];  王占国[2]
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