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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Study on mg memory effect in npn type algan/gan hbt structures grown by mocvd 期刊论文 Microelectronics journal, 2006, 卷号: 37, 期号: 7, 页码: 583-585 作者:  Ran, JX;  Wang, XL;  Hu, GX;  Wang, JX;  Li, JP 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Mg memory effect  Redistribution  Algan/gan hbts  Mocvd   Study on Mg memory effect in npn type AlGaN/GaN HBT structures grown by MOCVD 期刊论文 microelectronics journal, 2006, 卷号: 37, 期号: 7, 页码: 583-585 Ran JX; Wang XL; Hu GX; Wang JX; Li JP; Wang CM; Zeng YP; Li JM 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/04/11 GaN  Mg memory effect  redistribution  AlGaN/GaN HBTs  MOCVD  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS  FABRICATION